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岳远征

作品数：9 被引量：8H指数：1
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领域

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资助

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地区

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共 13 条 记 录，以下是 1-10
郝跃
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冯倩
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：击穿电压 场板 ALGAN/GAN 淀积 ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张进城
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN_HEMT GAN 淀积
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马晓华
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：电极 势垒层 栅电极 高电子迁移率晶体管 氧化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
倪金玉
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAN ALGAN/GAN GAN薄膜 SI基 二维电子气
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
董作典
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：HEMT器件 A1GAN/GAN 成核 ALGAN/GAN GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡贵州
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：ALGAN/GAN AL2O3 钝化 MI HEMT器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨丽媛
供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
研究主题：AL2O3 ALGAN/GAN 钝化 槽栅 MOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王冲
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：高电子迁移率晶体管 电极 ALGAN/GAN HEMT器件 势垒层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘林杰
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：GAN 温度特性 原子层淀积 HEMT器件 A1GAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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