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徐士杰

作品数：21 被引量：34H指数：3
供职机构：四川大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家攀登计划更多>>
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领域

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机构

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资助

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地区

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  • 1个湖北省
  • 1个辽宁省
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郑厚植
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 半导体 量子点 GA 自旋
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗晋生
供职机构：西安交通大学电子与信息工程学院微电子技术研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 双极晶体管 X HBT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘剑
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：模数转换器 太赫兹波 电容失配 图像 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李国华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：光致发光 静压 光致发光研究 超晶格 喇曼散射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
江德生
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：超晶格 砷化镓 衬底 量子点 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张耀辉
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：超晶格 聚光器 砷化镓 聚光 空间光调制器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
余明斌
供职机构：西安理工大学理学院应用物理系
研究主题：纳米硅薄膜 纳米硅 光致发光 多孔硅 碳化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗克俭
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：半导体 激子 电场作用 电场 纳米硅薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何宇亮
供职机构：南京大学物理学院物理学系
研究主题：纳米硅薄膜 纳米硅 硅 硅薄膜 H
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
龚彬
供职机构：西安交通大学电子与信息工程学院电子科学与技术系
研究主题：SI 硅 研磨 硅片 磨料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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