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杨树

作品数：2 被引量：3H指数：1
供职机构：香港科技大学更多>>
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共 7 条 记 录，以下是 1-7
王鑫华
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 势垒层 GAN 刻蚀 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈敬
供职机构：香港科技大学
研究主题：高电子迁移率晶体管 场效应晶体管 沟道 晶体管 HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘新宇
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 欧姆接触 ALGAN/GAN 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏珂
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 势垒层 欧姆接触 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
包琦龙
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 二维电子气 沟道 阈值电压 功率电子器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈敬
供职机构：香港科技大学
研究主题：功率电子器件 功率电子 界面态 物理研究 栅介质
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄森
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 势垒层 GAN 刻蚀 增强型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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