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徐萍

作品数:10 被引量:12H指数:2
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学机械工程更多>>

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郑厚植
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 半导体 量子点 GAAS GA
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
章昊
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:工作波长 晶片 谐振腔增强型光电探测器 砷化铝 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘剑
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:模数转换器 太赫兹波 电容失配 图像 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李桂荣
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:半导体 共振隧穿 势垒 光致发光 宽带隙半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱汇
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:测量系统 钕铁硼永磁体 单色仪 物镜 波片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱科
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:自旋 MN GA 材料特性 波段
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谭平恒
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:拉曼光谱 层数 石墨烯 光谱仪 拉曼
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘伟
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 单光子探测 超晶格 场效应晶体管 量子点
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨富华
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:淀积 相变存储器 电极 纳米尺寸 谐振器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾宇昕
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:离子注入 光致发光 硅基薄膜 双注入 发光薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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