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包琦龙

作品数：9 被引量：4H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：香港特区政府研究资助局资助项目香港创新及科技基金国家自然科学基金更多>>
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地区

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共 10 条 记 录，以下是 1-10
赵超
供职机构：清华大学
研究主题：半导体器件 衬底 栅极 沟道 金属硅化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗军
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 金属硅化物 沟道 衬底 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邓坚
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：金属硅化物 硅化物 半导体器件 肖特基势垒 淀积
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘新宇
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 欧姆接触 ALGAN/GAN 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏珂
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 势垒层 欧姆接触 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王鑫华
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 势垒层 GAN 刻蚀 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄森
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 势垒层 GAN 刻蚀 增强型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王文武
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 刻蚀 纳米线 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨树
供职机构：香港科技大学
研究主题：功率电子器件 功率电子 界面态 物理研究 栅介质
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈敬
供职机构：香港科技大学
研究主题：功率电子器件 功率电子 界面态 物理研究 栅介质
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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