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黄成强

作品数:21 被引量:10H指数:1
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术化学工程电子电信理学更多>>

领域

  • 12个电子电信
  • 10个化学工程
  • 10个一般工业技术
  • 10个理学
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  • 7个机械工程
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  • 1个经济管理
  • 1个矿业工程
  • 1个轻工技术与工...

主题

  • 12个原子层沉积
  • 11个氮化镓
  • 11个氧化锌
  • 10个单晶
  • 10个氮气
  • 10个电离
  • 10个石墨
  • 9个氮化
  • 9个氮化铝
  • 9个氮化碳
  • 9个氮化碳薄膜
  • 9个等离子体
  • 9个氧化钛薄膜
  • 8个氮化铝薄膜
  • 8个氮化镓薄膜
  • 8个等离子体辅助
  • 8个等离子体刻蚀
  • 8个低温低压
  • 7个乙烯
  • 7个体源

机构

  • 13个中国科学院微...
  • 5个浙江大学
  • 5个嘉兴科民电子...
  • 3个中国科学院
  • 2个中国科学技术...
  • 2个中国科学院嘉...
  • 1个北京科技大学

资助

  • 12个国家自然科学...
  • 9个国家科技重大...
  • 8个中国科学院科...
  • 7个国家高技术研...
  • 6个国家重点基础...
  • 5个中国博士后科...
  • 4个中国科学院知...
  • 2个北京市自然科...
  • 2个北京市科技计...
  • 2个中国科学院知...
  • 1个教育部科学技...
  • 1个北京市教委科...
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  • 1个应用光学国家...
  • 1个中国科学院微...
  • 1个中国科学院重...
  • 1个辽宁省科技厅...

传媒

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  • 5个无机材料学报
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  • 3个微电子学
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  • 2个北京科技大学...

地区

  • 13个北京市
13 条 记 录,以下是 1-10
李超波
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:原子层沉积 氧化锌薄膜 离子注入 等离子体 共掺
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈波
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:硅衬底 半导体制造技术 基片 化学吸附 前驱体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
饶志鹏
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:硅衬底 原子层沉积 化学吸附 含碳 含氮
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
万军
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:硅衬底 原子层沉积 化学吸附 含碳 含氮
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
石莎莉
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:硅衬底 控制部件 氮化硅薄膜 牺牲层 刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
夏洋
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:原子层沉积 等离子体 氧化锌薄膜 SUB 共掺
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘键
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:硅衬底 ALGAN/GAN ALGAN/GAN_HEMT 氮化碳薄膜 氮化碳
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李勇滔
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:硅衬底 等离子体 SUB 射频电源 离子注入
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吕树玲
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:进气口 进气 躯体 气口 出气
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
汪明刚
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:等离子体 等离子体浸没离子注入 离子注入 离子 浸没
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共2页<12>
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