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阚玲
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6
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H指数:2
供职机构:
中国电子科技集团第二十四研究所
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合作作者
唐昭焕
中国电子科技集团公司第二十四研...
刘勇
中国电子科技集团第二十四研究所
周铭
中国电子科技集团第二十四研究所
梁涛
中国电子科技集团第二十四研究所
张扬波
中国电子科技集团第二十四研究所
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唐昭焕
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:半导体 深槽 功率VDMOS器件 功率MOSFET器件 导电类型
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刘勇
供职机构:电子科技大学
研究主题:W波段 深槽 氮化镓 半导体 毫米波
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胡伟
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:埋层 导通电阻
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张杨波
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:SOI材料 隔离区 互补双极工艺 牺牲层 全介质
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周铭
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:IC芯片 半导体工艺 可靠性 统计过程控制
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欧宏旗
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:半导体结构 半导体材料 击穿电压 浅结 散结
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朱煜开
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:单芯片 夹具 金属工艺 氧化物 欧姆接触
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江军
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:开关电源 硅 SOI 功率集成电路 功率集成
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徐世六
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:比较器 逐次逼近型模数转换器 采样开关 逐次逼近型 SAR_ADC
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张扬波
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:氧化物 欧姆接触 双极集成电路 双极电路 湿法腐蚀
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