搜索到71篇“ 化学机械全局平面化“的相关文章
- 集成电路制备中化学机械全局平面化(CMP)后的表面清洗技术被引量：1
- 2005年
- 论述了集成电路制备中CMP过程带来污染的重大危害,介绍了目前CMP后清洗所面临的两大新挑战,同时对CMP后清洗的现状做出了分析,提出了存在的问题,并且对未来清洗的方向进行了展望。
- 李薇薇刘玉岭王胜利李广福
- 关键词：集成电路CMP污染
- 超大规模集成电路多层铜布线用化学机械全局平面化抛光液
- 一种超大规模集成电路多层铜布线用化学机械全局平面化抛光液，其组成成分重量%是：SiO<Sub>2</Sub>、CeO<Sub>2</Sub>、Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、ZrO、MgO的水溶胶...
- 刘玉岭王新檀柏梅张楷亮刘纳
- 文献传递
- 超大规模集成电路多层铜布线中铜与钽的化学机械全局平面化抛光液
- 超大规模集成电路多层铜布线中铜与钽化学机械全局平面化抛光液的组成成分重量%是SiO<Sub>2</Sub>、CeO<Sub>2</Sub>、Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、ZrO、MgO的水溶胶1...
- 刘玉岭张楷亮李薇薇
- 文献传递
- 超大规模集成电路多层铜布线化学机械全局平面化抛光液
- 一种超大规模集成电路多层铜布线用化学机械全局平面化抛光液，其组成成分是：(重量％)磨料18～50，螯合剂0.1～10，络合剂0.005～25，活性剂0.1～10，氧化剂1～20，余量为去离子水。该抛光液损伤小、平整度高、...
- 刘玉岭王新檀柏梅张楷亮刘纳
- 文献传递
- 超大规模集成电路多层铜布线中铜与钽的化学机械全局平面化抛光液
- 超大规模集成电路多层铜布线中铜与钽化学机械全局平面化抛光液，其组成成分是(重量％)磨料18～50；螯合剂0.1～10；络合剂0.005～25；活性剂0.1～10；余量为去离子水。该抛光液损伤小、平整度高、易清洗；不腐蚀设...
- 刘玉岭张楷亮李薇薇
- 文献传递
- “超大规模集成电路多层铜布线用化学机械全局平面化抛光液”项目荣获专利金奖
- 2006年
- 超大规模集成电路多层铜布线化学机械全局平面化抛光液
- 2005年
- 一种超大规模集成电路多层铜布线用化学机械全局平面化抛光液，其组成成分是：（质量分数）磨料18%-50%，螯合剂0．1％～10％，络合剂0．005％～25％，活性剂0．1％～10％，氧化剂l％～20％，余量为去离子水。该抛光液损伤小、平整度高、易清洗；不腐蚀设备，不污染环境；选择性强，速率高；价格便宜，成本低，用于超大规模集成电路多层铜布线化学机械全局平面化抛光。
- 关键词：铜布线超大规模集成电路抛光液络合剂易清洗
- 超大规模集成电路多层铜布线中铜与钽的化学机械全局平面化抛光液
- 刘玉玲张楷亮李薇薇
- 超大规模集成电路多层铜布线中铜与钽化学机械全局平面化抛光液的组成成分重量%是SiO2,GeO2,AlO3,ZrO,MgO的水溶胶18-50;无金属离子的羟胺类化合物和铵盐类化合物0.1-10；多羟多胺类化合物和铵盐类化合...
- 关键词：
- 关键词：集成电路抛光液
- 超大规模集成电路纳米磨料化学机械全局平面化新技术
- 2002年
- 由河北工业大学承担完成的“超大规模集成电路纳米磨料化学机械全局平面化新技术”项目,经专家评审鉴定,属国际领先水平。 该成果发明了超大规模集成电路化学机械全局平整化新技术的新机理模型和多层Cu布线纳米CMP抛光液、抛光表面纳米粒子的清洗技术及无污染、作用力强、可溶性的金属离子螯合剂和Cu2+、Cu+高效强络合剂。其中FA/O型Cu布线CMP抛光液价格仅为进口产品的1/4以下。
- 王新
- 关键词：超大规模集成电路
- 超大规模集成电路纳米磨料化学机械全局平面化新技术
- 刘玉岭王新檀柏梅刘钠张楷亮曹阳于广张德臣
- 主要内容：对国际上微电子技术发展的亟待解决的关键技术、衬底与立体结构多层布线的高平整、低损伤、高光洁、低沾污要求进行了理论及试验研究，并分别获得关键理论与技术突破。实现了铜抛光的低损伤(＜10nm)，高速率600nm/m...
- 关键词：
- 关键词：超大规模集成电路集成电路工艺化学抛光磨料
相关作者
- 刘玉岭
- 作品数：481被引量：759H指数：13
- 供职机构：河北工业大学
- 研究主题：化学机械抛光 CMP 抛光液 去除速率 ULSI
- 李薇薇
- 作品数：54被引量：99H指数：6
- 供职机构：河北工业大学信息工程学院
- 研究主题：CMP ULSI 超大规模集成电路 化学机械抛光 化学机械全局平面化
- 张楷亮
- 作品数：219被引量：503H指数：13
- 供职机构：天津理工大学
- 研究主题：化学机械抛光 抛光液 存储器 叠层结构 抛光速率
- 檀柏梅
- 作品数：165被引量：332H指数：11
- 供职机构：河北工业大学
- 研究主题：化学机械抛光 CMP 抛光液 ULSI 超大规模集成电路
- 周建伟
- 作品数：64被引量：130H指数：6
- 供职机构：河北工业大学
- 研究主题：CMP 化学机械抛光 硅溶胶 抛光液 硅晶片
