北京市自然科学基金(4052017)
- 作品数：4 被引量：4H指数：2
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- PECVD SiC材料刻蚀技术
- 2006年
- 通过对PECVD SiC进行不同条件下的反应离子刻蚀(RIE)和电感耦合反应离子刻蚀(ICP)实验研究,提出了使用SF6和He的混合气体进行RIE刻蚀,并讨论了功率和压强分别对刻蚀速率的影响.进一步研究了SiC中H含量对于RIE刻蚀速率的影响,同时验证ICP刻蚀过程中负载效应的存在.
- 陈晟李志宏张国炳郭辉王煜田大宇
- 关键词：PECVD碳化硅反应离子刻蚀氢含量功率
- PECVD SiC薄膜的应力控制及抗腐蚀特性研究
- 运用低温的PECVD方法进行了SiC薄膜的制备,通过改变关键工艺参数,如气体流量,功率等,研究工艺参数对SiC薄膜应力的影响,制备出低应力的SiC薄膜。研究了退火工艺、离子注入工艺对薄膜应力的影响,使得薄膜应力可控制,将...
- 郭辉王煜张海霞田大宇张国炳李志宏
- 关键词：微机电系统碳化硅应力离子注入抗腐蚀
- 文献传递
- 金属和SiC复合薄膜的应力及应力梯度控制技术
- 2008年
- 等离子增强化学气相沉积(PECVD)SiC谐振器的制作面临导电和应力及应力梯度控制问题.为了解决导电问题,采用金属W作为导电材料,它耐HF腐蚀,可简化工艺.使W薄膜应力最小的溅射条件为:Ar压力2.0 Pa,功率300 W,反溅射工艺;为了解决应力梯度问题,采用双层金属结构、退火和离子注入3种手段.在离子注入电压120 keV、剂量1.6×1016cm-2、不退火的条件下,可以得到应力梯度最小、结构完好的PECVD SiC谐振器.
- 纪明陈哲田大宇王玮张国炳张海霞
- 关键词：SICW退火离子注入应力
- SiC薄膜制备MEMS结构被引量：2
- 2005年
- 采用PECVD方法制备了无定形SiC薄膜,在此基础上,以SiC为结构层,利用传统的表面硅牺牲层工艺制作了电容式谐振器以及薄膜残余应力的在片检测结构。对SiC的MEMS结构进一步进行了长时间的腐蚀,以获得SiC材料的腐蚀特性。对SiC材料的力学特性进行了研究。深入探讨了退火工艺、薄膜硅碳原子比对SiC薄膜力学特性的影响,同时对薄膜硅碳原子比与制备工艺参数(包括硅烷、甲烷流量)之间的关系进行了实验研究。
- 王煜郭辉张海霞田大宇张国炳李志宏
- 关键词：SICMEMS谐振器
- SiC薄膜制备MEMS结构
- 采用PECVD方法制备了无定形SiC薄膜,在此基础上,以SiC为结构层,利用传统的表面硅牺牲层工艺制作了电容式谐振器以及薄膜残余应力的在片检测结构。对SiC的MEMS结构进一步进行了长时间的腐蚀,以获得SiC材料的腐蚀特...
- 王煜郭辉张海霞田大宇张国炳李志宏
- 关键词：SICMEMS谐振器
- 文献传递
- PECVD SiC薄膜的应力控制及抗腐蚀特性研究被引量：2
- 2005年
- 运用低温的PECVD方法进行了SiC薄膜的制备,通过改究工艺参数对SiC薄膜应力的影响,制备出低应力的SiC薄膜.研究了退火工艺、离子注入工艺对薄膜应力的影响,使得薄膜应力可控制,将无定形态的SiC变成微晶态SiC;解决了厚膜在高温退火下破裂的问题,将SiC薄膜的电阻率降低到10Ω·cm的量级.对SiC的抗腐蚀特性进行了研究,对比了多种湿法、干法对SiC的腐/刻蚀速率.成功地将制备的低应力SiC薄膜用于MEMS器件的抗腐蚀保护.
- 郭辉王煜张海霞田大宇张国炳李志宏
- 关键词：微机电系统碳化硅应力离子注入抗腐蚀
