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国家高技术研究发展计划(2013AA041101)

作品数:19 被引量:77H指数:5
相关作者:许高斌陈兴马渊明展明浩闵锐更多>>
相关机构:合肥工业大学中国兵器工业集团合肥科盛微电子科技有限公司更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划安徽省科技攻关计划江苏省科技支撑计划项目更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术一般工业技术机械工程更多>>

文献类型

  • 19篇中文期刊文章

领域

  • 9篇电子电信
  • 7篇自动化与计算...
  • 4篇一般工业技术
  • 2篇机械工程
  • 1篇化学工程

主题

  • 5篇感器
  • 5篇传感
  • 5篇传感器
  • 3篇刻蚀
  • 3篇加速度
  • 3篇SOI
  • 3篇测距
  • 2篇多孔
  • 2篇多孔硅
  • 2篇多孔阳极氧化...
  • 2篇阳极氧化铝
  • 2篇微电子
  • 2篇微电子机械
  • 2篇微电子机械系...
  • 2篇加速度计
  • 2篇工艺参
  • 2篇工艺参数
  • 2篇仿真
  • 2篇封装
  • 2篇ICP

机构

  • 15篇合肥工业大学
  • 3篇中国兵器工业...
  • 3篇合肥科盛微电...
  • 3篇江苏物联网研...
  • 1篇安徽大学
  • 1篇中国科学院微...
  • 1篇上海三一重机...

作者

  • 15篇许高斌
  • 13篇陈兴
  • 12篇马渊明
  • 4篇展明浩
  • 2篇卢翌
  • 2篇闵锐
  • 1篇李凌宇
  • 1篇胡艳军
  • 1篇皇华
  • 1篇汪祖民
  • 1篇明安杰
  • 1篇陈大鹏
  • 1篇胡芳菲
  • 1篇张胜兵
  • 1篇李新
  • 1篇刘方方
  • 1篇张玉
  • 1篇陈竟成
  • 1篇黄晓莉
  • 1篇王文靖

传媒

  • 3篇传感技术学报
  • 3篇电子测量与仪...
  • 3篇微纳电子技术
  • 3篇真空科学与技...
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇安徽大学学报...
  • 1篇电子技术应用
  • 1篇包装工程
  • 1篇仪表技术与传...
  • 1篇电子器件
  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 2篇2017
  • 7篇2016
  • 4篇2015
  • 3篇2014
  • 3篇2013
19 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
高深宽比的TSV制作与填充技术被引量:4
2016年
硅通孔技术是三维集成电路中堆叠芯片实现互连的一种新的技术解决方案。本文介绍了TSV的制作与填充技术,通过优化ICP刻蚀工艺,实现了上口尺寸14.41μm、下口尺寸8.83μm、深度331.0μm、深宽比大于20:1的高深宽比通孔的制作;利用LPCVD工艺在通孔内沉积的重掺杂多晶硅作为电极引线实现电气互连,并对通孔进行了电阻特性的测试,测试结果表明,通孔阻值约为25Ω,通孔互连的电学特性较好。
余成昇许高斌陈兴马渊明展明浩
关键词:ICP刻蚀LPCVD高深宽比
一种新型岛膜压力传感器的研究与设计被引量:1
2015年
设计了一种量程为180 kPa的新型岛膜结构MEMS压阻式压力传感器,通过ANSYS仿真软件,得出了在岛宽为500μm、岛厚为40μm、梁宽为200μm、敏感薄膜厚为15μm的情况下,该结构具有较好的线性度及灵敏度。提出了一种基于两层SOI硅-硅直接键合的工艺加工方法,能够精确控制敏感薄膜及岛的厚度,并且全硅结构器件能够避免键合残余应力,大大提高器件性能。采用了双惠斯登电桥电路减小传感器输出的温漂效应,并设计了该电路的压敏电阻连接图。最后对该压力传感器进行了测试,结果表明,其非线性为0.64%,精度为0.74%,满足现代工业应用要求。
余成昇展明浩胡芳菲李凌宇何凯旋许高斌
关键词:ANSYS仿真硅-硅直接键合
SOI基纳米硅薄膜超微压压力传感器研究被引量:6
2013年
设计分析了一种SOI基纳米硅薄膜的压阻式压力传感器,构建SOI埋层氧化层、SOI上层硅和A1N绝缘层多层压力敏感薄膜结构。利用纳米硅薄膜作为压敏电阻,AIN薄膜作为绝缘层,埋层氧化层自停止腐蚀制作压力空腔。该传感器的制备工艺简单,一致性、重复性好。通过ANSYS模拟分析了压力敏感层结构参数对传感器灵敏度的影响以及传热特性,验证了结构设计和理论模型的正确性和合理性。研究表明,该传感器灵敏度可达到1.3mV/(kPa·V),输出电压可达到0.65mV,且具有较好的线性度和高温性能,可实现对0—100Pa超微压的测量。
许高斌李凌宇陈兴马渊明
关键词:SOI纳米硅薄膜压力传感器
纳米多孔硅可控制备研究被引量:2
2014年
采用了自制双槽和电化学腐蚀法在不同电阻率的硅片上制备出表面平整度很好的纳米多孔硅层,利用场发射扫描电子显微镜对多孔硅的微观形貌进行了分析表征。实验表明多孔硅的孔径、孔隙率和厚度随电化学腐蚀的电流密度和腐蚀时间增加而增加,且电解液中HF(40%)和无水乙醇(99.7%)的配比很趋近时,多孔硅的孔洞分布均匀性越好。在电阻率为0.01~0.02Ω·cm的P型硅片上制备的纳米多孔硅其效果相比其他电阻率的要好。
许高斌卢翌陈兴马渊明
关键词:电阻率
基于AAO/PTFE复合薄膜封装的湿度传感器应用
2016年
目的研究多孔阳极氧化铝/聚四氟乙烯(AAO/PTFE)复合薄膜应用于湿度传感器封装窗口的水蒸气输运特性和抗污染能力。方法通过旋涂法在双通阳极氧化铝薄膜上制备PTFE微孔膜,将该复合薄膜用作湿度传感器的封装窗口,在定温变湿的环境和油漆喷涂房中分析相对湿度测量的静态误差和动态响应,研究AAO/PTFE复合薄膜对传感器测量的影响和保护功能,并将其与PTFE和PVDF滤膜进行对比。结果定温变湿环境下静态和动态的测量结果表明,AAO/PTFE复合薄膜对湿度传感器造成的测量误差最大可达15%,且误差曲线可以分为30%~50%的低相对湿度区间、50%~80%的中相对湿度区间和大于80%的高相对湿度区间。静态测量的差异是由不同相对湿度区间内试验箱中空气流动速率不同造成的,而动态响应的差异主要源于不同区间内管壳内、外的相对湿度差不同。结论 PTFE薄膜的涂覆不仅保留了AAO滤膜优异的水蒸气输运性能,还有效提高了其表面抗污染能力。
马晶晶欧文罗九斌吴健刘东
关键词:多孔阳极氧化铝聚四氟乙烯
基于NUC472的超声波测距匹配算法的研究被引量:1
2016年
为了使超声波测距系统中的换能器智能识别自身发出去的信号,以及避免其他设备换能器回波的干扰,提出了一种基于NUC472系列ARM芯片的超声波回波匹配算法的实现方案。详细介绍了各步算法的工作原理和实现过程,构建了发送码元序列的结构,阐述了编解码方式,并利用主控MPU内部ADC单元、FPU计算单元以及DSP指令库完成匹配算法的设计,最后将算法用于板级实验进行性能测试。实验结果表明:此算法不仅能识别多组不同换能器设备,而且方便对于嵌入式系统的移植,具有很强的通用性。
闵锐许高斌陈兴马渊明金传恩
关键词:超声波测距信道编码
超声波测距自动增益控制电路的设计被引量:8
2017年
针对在测距过程中超声波的能量损耗和回波信号微弱的问题,在分析问题产生的基础上,利用可变增益放大器AD8338设计了超声波自动增益控制(AGC)接收补偿电路,动态范围达到80 d B。实验结果表明:该自动增益补偿电路结构简单,不需要额外的控制器件,可以使不同距离的超声波回波信号维持在合适的幅度范围内,有效地解决了回波信号衰减等问题,提高测距精度。
汪群许高斌陈兴马渊明金传恩欧耿洲
关键词:超声波测距可变增益放大器
对称分布的三轴谐振陀螺仪的设计、分析与仿真被引量:2
2016年
为了实现单片集成三轴陀螺仪,提出了一种完全对称的四方陀螺结构。介绍了该陀螺的结构设计及工作原理,给出了动力学简化模型,并给出了其动力学方程的详细推导。运用Ansys软件对陀螺结构进行了静态分析和模态分析,仿真结果表明,陀螺在施加100 GHz载荷下所受最大应力为1.942 MPa,陀螺各模态的固有频率分别为57.345 k Hz、57.382 k Hz以及57.395 k Hz,各模态间匹配性能较好。对陀螺结构的仿真研究的结果表明其抗过载及模态匹配满足陀螺的设计要求。
陈竟成许高斌马渊明陈兴
关键词:动力学分析
基于虚拟仪器的多通道MEMS加速度计自动化测试系统被引量:5
2014年
提出了一种7通道并行测试的MEMS加速度计自动化测试分析系统,该系统高度集成多种功能,实现了加速度计高效率测试与分析。在常规测试系统基础上,该系统通过上层应用程序Labview实现了单一人机交互终端对振动台、高低温交变湿热试验箱和供电电源等设备的控制。灵敏度、线性度、重复性、滞回特性、温度特性、频响特性等参数指标,能够在控制终端通过分析测试数据同时获得,并以报表形式输出。在一般情况下,传感器测试效率可达50只/h,大大高于传统的非自动化测试系统。经过评估测试,该测试系统还表现出较高的测试精度及稳定性和可靠性,测试误差小于±2.5%。该自动化测试系统为进一步降低MEMS传感器成本,促进其在物联网领域的大规模应用奠定了基础。
明安杰谭振新吴健赵敏欧文陈大鹏
关键词:MEMS加速度计LABVIEW自动化测试
基于RF MEMS开关的4位分布式移相器的设计被引量:1
2016年
RF MEMS移相器与传统移相器相比,具有低损耗、频带宽、微型化,同时与IC、MMIC电路易于集成等特点,文中设计一种Ka波段DMTL型RF MEMS移相器,采用了15个MEMS电容式并联开关,同时在MEMS开关中加入MIM电容,实现了4位相移。文中对Ka波段4位RF MEMS移相器进行设计与分析,通过MEMS开关的切换实现信号延迟通路,0-180°步进22.5°的相移功能。通过改变驱动电压从而调整MEMS桥的高度,仿真测得开关理论下压电压为18.9 V。仿真结果表明在中心频率31 GHz时,其插入损耗大于-2.2 d B,回波损耗小于-25 d B,相移误差在1.5°范围内,移相器具有较好的移相性能。
李勇许高斌陈兴马渊明
关键词:MEMS开关微电子机械系统KA波段移相器
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