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国家自然科学基金(59875060)

作品数:2 被引量:75H指数:2
相关作者:陈迪杨帆李以贵张立国赵旭更多>>
相关机构:上海交通大学北京大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金上海市教育发展基金会“曙光计划”项目更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇微机电系统
  • 1篇机电系统
  • 1篇光刻
  • 1篇高深宽比
  • 1篇SU-8胶
  • 1篇DEM
  • 1篇DEM技术
  • 1篇电系统

机构

  • 2篇上海交通大学
  • 1篇北京大学

作者

  • 2篇陈迪
  • 1篇张大成
  • 1篇赵旭
  • 1篇张立国
  • 1篇李以贵
  • 1篇杨帆

传媒

  • 1篇光学精密工程
  • 1篇高技术通讯

年份

  • 1篇2002
  • 1篇2000
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
三维微加工新技术——DEM技术研究被引量:7
2000年
DEM技术 (Deepetching ,ElectroformingandMicroreplication )是继硅微加工技术和LIGA技术发展起来的一种全新的非硅三维微加工技术。该技术吸收了体硅微加工技术和LIGA技术的部分工艺 ,可对非硅材料进行三维微加工。目前利用该技术已获得了微复制模具 ,并已模压出多种高深宽比塑料微结构。该技术的开发成功 ,为微机电系统的产业化奠定了基础。
赵旭陈迪张大成
关键词:DEM技术微机电系统
SU-8胶光刻工艺研究被引量:68
2002年
SU - 8胶是一种基于环氧SU - 8树脂的环氧型的、近紫外光、负光刻胶。其专门用于在非常厚的底层上需要高深宽比的应用。但是SU - 8胶对工艺参数的改变非常敏感。本文对影响光刻后图形质量的主要工艺参数前烘温度和时间、中烘温度和时间、曝光时间及显影时间进行了研究 ,发现前烘时间和显影时间是影响图形分辨率及高深宽比的最主要的参数。随后给出了 2 0 0 μm厚SU - 8光刻胶的建议工艺条件 :2 0 0 μm/s甩胶 ,1h的 95°C前烘 ,近紫外光 (40 0nm)接触式曝光 ,95°C的中烘 30min ,PGMEA中显影 2 0min。另外对实验中实现的主要问题基片弯曲和光刻胶的难以去除作了一定的探讨 ,给出了合理化建议 :对于基片弯曲可采用以下四种措施来降低 ,降低中烘的温度同时增加中烘的时间、用厚硅片来代替薄硅片、对于薄硅片在前烘后可用金刚刀切成 4~ 8小片、适当的设计掩模板 ;对于光刻胶的去除用热丙酮泡、超声清洗、反应离子刻蚀和高温灰化法相结合 。
张立国陈迪杨帆李以贵
关键词:SU-8胶高深宽比光刻
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