国家自然科学基金(60006003)
- 作品数：8 被引量：35H指数：3
- 相关作者：张溪文韩高荣徐世友祁英昆董博更多>>
- 相关机构：浙江大学中国科学院等离子体物理研究所更多>>
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 介质阻挡放电常压化学气相沉积技术及其在薄膜制备中的应用被引量：3
- 2003年
- 介质阻挡放电(DBD)是一种可以在常压下工作的放电形式,以这种放电形式为离子源的介质阻挡化学气相沉积(DBD-CVD)技术可以以较高的反应物流量实现多种薄膜的沉积,因而有广阔的应用前景。综述了DBD技术的发展历史及相关理论,着重介绍了DBD-CVD技术及其应用现状,并提出展望。
- 徐世友张溪文韩高荣
- 关键词：介质阻挡放电DBD化学气相沉积半导体
- 石英衬底上的BPxN1-x薄膜沉积及P对其光学带隙调制的研究
- 2004年
- 以光学石英为衬底,采用热丝辅助射频等离子体增强化学气相沉积方法(HF-PECVD)沉积了BPxN1-X薄膜.通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱(EDAX)、紫外-可见(UV-VIS)等测试手段研究了薄膜的化学组成、结晶状况,以及P元素掺杂对BPxN1-X薄膜材料光学带隙的调制规律.结果表明,所沉积薄膜具有多晶团聚、定向生长的特点,其表面形貌随时间而变化,最后发展成多晶球状密堆成膜,与石英衬底结合牢固.BPxN1-x薄膜的磷元素相对含量随磷烷流量增加而增加,光学带隙相应窄化.通过控制磷的掺杂量可以有效调整该薄膜材料的光学带隙.
- 张溪文徐世友韩高荣
- 关键词：磷掺杂光学带隙
- 氮化硼光电薄膜材料的制备及其性能研究被引量：6
- 2002年
- 本文通过热丝辅助等离子体增强化学气相沉积法 (HF PECVD)在单晶硅片和石英片衬底上分别成功生长了氮化硼薄膜材料。用X射线衍射 (XRD和傅立叶变换红外光谱 (FTIR)分析了薄膜样品的结构和组成 ,用扫描电镜 (SEM)观察了薄膜样品的表面形态 ,用紫外—可见光分光光度计 (UV)研究了薄膜样品的紫外吸收特征 ,并确认薄膜样品的光学能隙。此外 。
- 祁英昆张溪文郝天亮董博沈鸽杜丕一翁文剑赵高凌韩高荣
- 关键词：氮化硼紫外吸收半导体材料
- HFPECVD法沉积BN薄膜及其生长机理的研究被引量：2
- 2004年
- 本文介绍了用HFPECVD(hotfilamentplasmaenhancedchemicalvapordeposition)法制备BN薄膜。通过红外吸收谱和x射线衍射图谱分析确定 ,射频功率和反应气体 (N2 )气流量显著影响薄膜中立方相BN(c BN)的相对含量。当射频功率小于 2 0 0W时 ,薄膜中立方相的相对含量随它的增加而增大 ;而当射频功率大于 2 0 0W时 ,则随它增加而减小。当N2 气流量增加时 ,薄膜生长速率增加 ,但立方相的相对含量却减少。最后通过对不同沉积时间样品的红外吸收谱的分析对BN薄膜的生长机理进行了探讨。
- 董博张溪文韩高荣
- 关键词：BN反应气体立方相射频功率红外吸收谱
- 石英衬底上的BPxN1-x薄膜沉积及P对其光学带隙调制的研究
- 以光学石英为衬底,采用热丝辅助射频等离子体增强化学气相沉积方法(HF-PECVD)沉积了BPXN1-X薄膜。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱(EDAX)、紫外-可见(UV-VIS)等测试手段...
- 张溪文徐世友韩高荣
- 关键词：磷掺杂光学带隙
- 文献传递
- BP_xN_(1-x)薄膜的制备及磷元素对其光学能隙的影响被引量：1
- 2003年
- 本文从应用出发 ,选择光学石英为衬底 ,采用热丝辅助射频化学气相沉积的方法沉积BPxN1 -x薄膜 ,对样品进行了X射线衍射 (XRD)、扫描电子显微镜 (SEM)、紫外 可见等测试。XRD、SEM结果显示薄膜多晶态 ,表面形貌随时间变化 ,最终为胞状 ;紫外 可见光光谱结果显示BPxN1 -x薄膜的紫外吸收边随沉积时间的加长、PH3流量的增加而向长波长方向移动。因此 ,该材料的光学能隙可以通过生长工艺适当调整。另外 ,BPxN1
- 徐世友祁英昆张溪文韩高荣
- 关键词：磷元素掺杂氮化硼
- 掺硼非晶硅薄膜的微结构和电学性能研究被引量：5
- 2003年
- 以硅烷(SiH4)和硼烷(B2H6)为气相反应先驱体,采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备出能应用于液晶光阀光导层的硼掺杂非晶氢硅薄膜。X射线衍射、原子力显微镜和光、暗电导测试表明,一定程度的硼掺杂提高了非晶氢硅薄膜的电导率、降低了非晶氢硅薄膜的光、暗电导比;硼掺杂促进薄膜晶态率的增加和硅晶粒尺寸的增大,薄膜的结晶状态将逐渐从非晶硅过渡到纳米硅,最后发展为多晶硅。红外吸收谱研究表明了大量的硼原子与硅、氢原子之间能形成某些形式的复合体,仅有少量硼元素对受主掺杂有贡献。
- 张溪文韩高荣
- 关键词：非晶硅薄膜微结构电学性能硼等离子体增强化学气相沉积
- BN薄膜的制备及BP_xN_(1-X)薄膜的紫外光敏特性被引量：1
- 2003年
- 采用热丝和射频等离子体辅助化学气相沉积方法(HF-PECVD),以单晶硅为衬底在低温(<500℃)条件下沉积氮化硼(BN)薄膜材料。通过傅立叶变换红外光谱(FTIR)、X射线衍射(XRD)及扫描电镜(SEM)对薄膜样品的组成和结构进行了分析,探讨了温度和等离子体对沉积BN薄膜的影响。此外,用紫外-可见光分光光度计(UV)测试了石英衬底上生长磷掺杂氮化硼(BPXN1-X)薄膜样品的紫外吸收特征,分析了磷掺杂对BN光学能隙的调节作用以及BPXN1-X薄膜在紫外空间探测领域的应用前景。结果表明,以单晶硅和光学石英玻璃为衬底在低温条件下用HF-PECVD方法可以沉积较高质量的BN薄膜,BN的光学能隙宽度通过磷的掺杂可以得到连续调节,在紫外空间光探测领域具有很大的应用潜力。
- 祁英昆张溪文徐世友韩高荣
- 关键词：FTIRXRDSEM
- 离子束辅助薄膜沉积被引量：17
- 2003年
- 离子束辅助沉积(IBAD)是在气相沉积的同时辅以离子束轰击的薄膜制备方法,可在低温下合成致密、均匀的薄膜。介绍了IBAD技术的概况,列举了具体应用领域,描述了射频ICP离子源辅助电子束蒸发,最后对IBAD的前景加以评论。
- 张宇峰张溪文任兆杏韩高荣
- 关键词：IBAD等离子体光学性能
