国家高技术研究发展计划(2002AA1Z1610)
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
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- 金属系统对SiGe HBT自热效应的影响
- 2005年
- 在SiGeHBT设计中,采用AlTiNTi多层金属系统,可减小基极电阻,提高器件的频率和功率特性(fmax)。但是,本文的研究表明,如果忽略了发射极电阻的减小和TiN、Ti有较小的热导率,而不在设计中做出适当调整,在相同的大电流工作条件下,多层金属HBT的输出特性在自热效应和能带调节共同作用下,将会表现出明显的负阻效应。分析其原因1)由于发射极接触电阻减小,即等效的HBT发射极镇流电阻减小,使得器件调节自热效应的能力减弱;2)由于多层金属中TiN和Ti热导率较低,在相同条件下,器件通过金属连线均衡温度分布的能力变差,与Al系统相比,其BE结温度更高。在大电流工作条件下,较差的自热效应调节能力和较高的结温使得多层金属HBT的值减小较快,器件的频率和功率特性变差。
- 刘庆张伟许军
- 关键词：SIGEHBT自热效应
- BV_(CBO)为23V且f_T为7GHz30叉指微波功率SiGe HBT(英文)被引量：1
- 2004年
- 在 12 5 m m标准 CMOS工艺线上 ,对标准 CMOS工艺经过一些必要的改动后 ,研制出了多叉指功率 Si GeHBT.该器件的 BVCBO为 2 3V .在较大 IC范围内 ,电流增益均非常稳定 .在直流工作点 IC=4 0 m A ,VCE=8V测得 f T为 7GHz,表现出较大的电流处理能力 .在 B类连续波条件下 ,工作频率为 3GHz时 ,测得输出功率为 31d Bm,Gp 为10 d B,且 PAE为 33.3% .测试结果表明 ,单片成品率达到了 85 % ,意味着该研究结果已达到产业化水平 .
- 熊小义张伟许军刘志宏陈长春黄文韬李希有钟涛钱佩信
- 关键词：SIGEHBTFT
- TiSi_2在微波低噪声SiGe HBT中的应用被引量：2
- 2006年
- 通过在SiGe HBT外基区和多晶发射极上制作TiSi2,从而使器件的高频噪声系数得到进一步降低。以PD=200mW的SiGe HBT为例,采用TiSi2工艺的噪声系数典型值为F=1.6dB@1.1GHz,明显低于无TiSi2工艺SiGe HBT的2.0dB@1.1GHz,且频率越高,二者差别越大。
- 张伟王玉东熊小义许军单一林李希有刘爱华钱佩信
- 关键词：锗硅异质结双极晶体管微波低噪声
