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国家高技术研究发展计划(2002AA1Z1610)

作品数:3 被引量:3H指数:1
相关作者:张伟许军钱佩信李希有熊小义更多>>
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领域

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主题

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机构

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资助

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地区

  • 12个北京市
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13 条 记 录,以下是 1-10
张伟
供职机构:清华大学信息科学技术学院微电子学研究所
研究主题:SIGE_HBT SIGE HBT 锗硅异质结双极晶体管 低噪声
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许军
供职机构:清华大学
研究主题:沟道 半导体结构 场效应晶体管 晶体管 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
熊小义
供职机构:清华大学信息科学技术学院微电子学研究所
研究主题:SIGE_HBT HBT SIGE 多晶发射极 异质结双极晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钱佩信
供职机构:清华大学
研究主题:SIGE SIGE_HBT HBT SOI 锗化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李希有
供职机构:清华大学信息科学技术学院微电子学研究所
研究主题:SIGE SIGE_HBT HBT RIE 低噪声
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王玉东
供职机构:清华大学
研究主题:双极晶体管 发射区 锗硅异质结双极晶体管 发射极 基极电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钟涛
供职机构:清华大学信息科学技术学院微电子学研究所
研究主题:HBT CBO BV SIGE_HBT SIGE
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈长春
供职机构:信阳师范学院物理与电子信息工程学院
研究主题:SIGE 超晶格薄膜 单片 HBT 红外加热
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘志宏
供职机构:清华大学信息科学技术学院微电子学研究所
研究主题:英文 隧穿 BSIM3模型 BSIM3V3 集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘爱华
供职机构:清华大学信息科学技术学院微电子学研究所
研究主题:SIGE 低噪声 SIGE_HBT 微波 HBT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共2页<12>
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