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国家重点基础研究发展计划(2006CB300403)

作品数:7 被引量:12H指数:2
相关作者:王跃林李铁杨恒焦继伟周萍更多>>
相关机构:中国科学院中国科学院研究生院东南大学更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学机械工程天文地球更多>>

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇天文地球
  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 3篇纳米
  • 2篇液滴
  • 2篇刻蚀
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶硅
  • 1篇低电压
  • 1篇低工作电压
  • 1篇电学
  • 1篇电学性质
  • 1篇电压
  • 1篇动力学
  • 1篇动力学模拟
  • 1篇有限元
  • 1篇扫描电子显微...
  • 1篇微流控
  • 1篇微流控芯片
  • 1篇谐振频率
  • 1篇离子束
  • 1篇离子束刻蚀
  • 1篇纳米线

机构

  • 5篇中国科学院
  • 3篇中国科学院研...
  • 1篇东南大学
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 6篇王跃林
  • 5篇李铁
  • 4篇杨恒
  • 3篇焦继伟
  • 2篇皋华敏
  • 2篇刘翔
  • 2篇周萍
  • 1篇成海涛
  • 1篇李昕欣
  • 1篇包晓清
  • 1篇陈云飞
  • 1篇王翊
  • 1篇许磊
  • 1篇曹共柏
  • 1篇刘文平
  • 1篇冯飞
  • 1篇史明甫

传媒

  • 2篇传感技术学报
  • 2篇功能材料与器...
  • 1篇光学精密工程
  • 1篇Journa...
  • 1篇Scienc...

年份

  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2009
  • 3篇2006
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
单晶硅纳米梁的分子动力学模拟被引量:2
2006年
采用经典的分子动力学方法,分析了两端固支的纳米梁的力学行为特征.在初始应变下,梁的表面原子发生了重构,而初始应变能仅是重构能的1%,随着分子动力学迭代的开始,初始应变能逐渐转化为梁中原子的热运动动能和梁的谐振能量.从其能量的变化曲线得到,梁的谐振频率为2.32×1010Hz.与连续介质近似结果对比发现,该谐振频率对应的杨氏模量为101GPa,小于体硅的131GPa,说明在该尺度下杨氏模量小于体材料.另外,分子动力学结果显示,发热是纳米梁耗散机制的重要方式,即谐振能量转化为梁中原子的热运动动能.
曹共柏焦继伟陈云飞李铁杨恒王跃林
关键词:分子动力学有限元谐振频率
一种FIB刻蚀结合KOH腐蚀的制造纳米梁的新方法
2010年
常规的通过干法刻蚀制作纳米梁的方法会不可避免地在梁上引入晶格损伤层。本文提出一种制造无晶格损伤层纳米梁的新工艺方法。在常规光刻后,辅助利用FIB(聚焦离子束)刻蚀修改硅梁中部上方的SiO2掩模。根据单晶硅的材料和工艺特点,通过KOH各向异性腐蚀,硅梁两侧壁与硅片表面垂直,并自停止为(111)面。自停止面自校正地沿<112>晶向自硅梁中部向两端扩展,直至硅梁成型。经过冷冻干燥,最终在(110)SOI硅片上制得了宽度为112nm的单晶硅纳米梁。自校正的腐蚀方式提升了工艺稳定性,并且由于结合利用了湿法腐蚀和FIB技术,此工艺方法具有无晶格损伤层、工艺重复性好、加工精度高等优点。
成海涛杨恒王跃林
关键词:各向异性腐蚀FIB
一种新颖的基于离子束刻蚀的纳米沟道制备技术被引量:1
2006年
研究了一种新颖的基于MEMS工艺中离子束刻蚀的纳米沟道制备技术,通过研究离子束刻蚀微米级线条时,离子束刻蚀角度与刻蚀的轮廓形状之间的关系,在2μm线条内刻蚀出纳米沟道所需要的掩模图形,并结合KOH的各向异性腐蚀,成功获得了纳米沟道阵列。在两种不同的离子束刻蚀条件下,在2μm图形内分别制备出单纳米沟道和双纳米沟道,最小宽度可达440nm.
史明甫焦继伟包晓清冯飞杨恒李铁王跃林
关键词:离子束刻蚀
低电压下静电力驱动的数字微流控芯片被引量:6
2011年
设计并制作了一种基于静电力驱动的数字微流控芯片,用于构建芯片实验室。介绍了静电力驱动原理和芯片制作工艺流程,搭建了驱动检测实验平台。该芯片采用硅作衬底,氧化硅作绝缘层,TiW/Au为驱动电极阵列,氮化硅作介质层,碳氟聚合物为疏水层。由于采用开放式的结构,只需单层共平面控制电极,简化了工艺流程,优化了器件结构;而驱动电极阵列嵌入在氧化硅中,改善了减小介质层厚度时介质层对金属的台阶覆盖性,减少了电极边沿突起引起的边界击穿。另外,采用较薄的高质量介质层和疏水性能好的疏水膜层,大大降低了液滴驱动电压。实验显示,在20 V驱动电压下,该工艺可实现液滴按程序设定方式在二维平面内流畅运动,最大运动速度达96 mm/s。提出的芯片制作工艺简单,与IC工艺兼容,可应用于生化分析芯片实验室系统。
刘翔皋华敏李铁周萍王跃林
关键词:微流控芯片液滴静电驱动低工作电压
On the origin of dissimilar pore evolution on patterned and unpatterned (100) n-type silicon被引量:1
2009年
Via systematic investigation of the anodization of both patterned and unpatterned specimens, phenomena of pronounced discrepancy with respect to pore size, pore density and pore etch-rate were evidenced. Based on the detailed analysis of scanning electron microscope (SEM) micrographs and current-voltage curves, the competition between physical and chemical elements was found to be crucial to understanding the observations. The results indicate that the size, density and growth-speed of pores may act as an evident function of the initial morphology of the sample surface, despite a nearly fixed width of the space charge region. Electric-field effect as well as current-burst-model (CBM) was employed to interpret the underlying mechanism.
BAO XiaoQingGE DaoHanZHANG ShengZHAO LingJIAO JiWeiWANG YueLin
关键词:孔隙演化扫描电子显微镜空间电荷区苯丙氨酸
静电力驱动的液滴数字传输芯片被引量:1
2010年
设计制作了一种基于静电力驱动的数字微流芯片。通过优化芯片的结构,采用硅为衬底,TiW/Au为微电极阵列,较薄的氮化硅和碳氟聚合物为介质层和疏水膜层,驱动电压大为降低。目前已成功实现了在30V的驱动电压下,对去离子水液滴的两维驱动,液滴移动速度可达96mm/s,同时也实现了对0.9%质量浓度NaCl溶液液滴的驱动。分析结果验证了液滴是在静电力的作用下实现移动。
皋华敏李铁许磊刘翔王翊周萍王跃林
关键词:静电力液滴
基于MEMS工艺制作的硅纳米线及其电学性质被引量:1
2006年
通过运用Si3N4和SiO2作掩膜,采用各向同性和各向异性腐蚀液,利用硅的腐蚀自停止特性,实现了硅梁的纳米宽度控制,同时利用多次氧化在SOI材料上实现了纳米厚度控制,最终成功批量制作了硅纳米线.扫描电镜观测表明,制备的纳米线厚度和宽度都可严格控制在100nm以下,最细的纳米线宽度可以达到20nm.同批样品的宽度变化范围在20%以内.大气中对其电学特性测量表明,剥离了表面氧化层的纳米线的电阻会随放置时间的增长而逐渐增大.进一步实验分析发现水分吸附在其电阻变化中起了重要的作用.
刘文平李铁杨恒焦继伟李昕欣王跃林
关键词:硅纳米线MEMS技术
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