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有机二元酸与导电胶的作用机理被引量：2: 2011年; 利用有机二元酸乙醇溶液表面处理微米银片制备导电胶,或者直接将有机二元酸固体加入微米银片与基体树脂体系中,可以降低导电胶的电阻率至(2～5)×10-5Ω.cm。通过拉曼光谱、X射线光电子能谱(XPS)对有机酸与微米银片作用机理的研究表明,戊二酸通过单齿配位的方式化学吸附到微米银片表面。差示扫描量热(DSC)分析结果显示,在导电胶配方中引入有机二元酸,能够促进导电胶的固化。; 陈项艳张中鲜肖斐; 关键词：导电胶表面处理

60GHz贴片天线用低温共烧陶瓷基板的微机械加工被引量：4: 2013年; 为有效提升60GHz贴片天线及阵列的辐射带宽,提出利用微机械手段加工天线的低温共烧陶瓷(LTCC)基板。通过微切削方法在特定生瓷层上制作贯通结构,充填可挥发牺牲材料,完成基板叠压、烧结,待牺牲层升华排净后最终构成三维微结构。设计、制备了悬臂梁、围框结构和微管道等工艺样品。对天线设计电性能进行全波分析,并测试了微流道散热特性。实验结果表明:提出的方法成功解决了不同轴系各方向收缩率不一致、空腔塌陷等工艺问题,制作出的悬臂梁与围框尺寸高宽比达4∶1,总长为12mm,总层厚为1.4mm;内嵌微流道横截面为200μm×200μm,长度达25cm以上;内部光滑,基板表面贴装发热功率密度达2W/cm2的功率器件时提供40K以上的冷却能力;基板经过微机械加工后,天线的辐射带宽可从2.7GHz增加到5.3GHz,而增益的损失甚微。这些结果显示,用简单、低成本的微机械加工方法可在不显著增加制造成本的情况下有效扩增毫米波贴片天线的辐射带宽,为贴片天线阵中有源发射功率器件的设计和贴片天线的三维高密度集成提供了有效的技术支持。; 缪旻张小青姚雅婷沐方清胡独巍; 关键词：毫米波贴片天线

含TSV结构的3D封装多层堆叠Cu/Sn键合技术被引量：4: 2014年; 研究了利用Cu/Sn对含硅通孔(TSV)结构的多层芯片堆叠键合技术。采用刻蚀和电镀等工艺,制备出含TSV结构的待键合芯片,采用扫描电子显微镜(SEM)对TSV形貌和填充效果进行了分析。研究了Cu/Sn低温键合机理,对其工艺进行了优化,得到键合温度280℃、键合时间30 s、退火温度260℃和退火时间10 min的最佳工艺条件。最后重点分析了多层堆叠Cu/Sn键合技术,采用能谱仪(EDS)分析确定键合层中Cu和Sn的原子数比例。研究了Cu层和Sn层厚度对堆叠键合过程的影响,获得了10层芯片堆叠键合样品。采用拉力测试仪和四探针法分别测试了键合样品的力学和电学性能,同时进行了高温测试和高温高湿测试,结果表明键合质量满足含TSV结构的三维封装要求。; 吕亚平刘孝刚陈明祥刘胜; 关键词：CU

基于矢量游走的任意非自交图形合并算法被引量：1: 2012年; 图形处理软件中,常常需要将许多非自交图形合并成一个图形,提出一种基于矢量游走的任意非自交多边形合并算法,提出了适合于多边形合并运算的改进矢量游走规则及交点转移条件。通过将交点和两相交矢量边联合处理,对交点分类,有效地去除了"伪交点",进而简化了重合交点处理。提出用带凸度线段的方式来表示圆和含圆弧边的多边形,成功地将矢量游走规则运用到这些复杂多边形的快速合并当中。; 刘术华周云燕曹立强万里兮; 关键词：多边形凸度

140 GHz空腔滤波器设计及加工工艺研究被引量：2: 2016年; 设计并实现了一种采用进口电火花技术加工的D波段电感膜片耦合的矩形波导空腔滤波器。采用等效电路法设计了一个140 GHz矩形空腔带通滤波器。采用有限元仿真软件HFSS分析了腔体个数对滤波器主要性能的影响,最终成功设计了一个性能优良的四阶空腔滤波器,中心频率(140±3)GHz,带内插入损耗S21在-3 d B以内,回波损耗S11在-20 d B以下。采用电火花微加工技术成功加工出了四阶滤波器的主体部分,相应完成了结构键合等关键工艺,首次制作了基于电火花技术的D波段矩形波导空腔滤波器。测试结果为中心频率(138.5±3)GHz,带内插入损耗最好达到了-4.4 d B。结果表明滤波器在140GHz具有带通特性和滤波功能,尽管与理论上的-3 d B有差异,但考虑到加工误差、夹具损耗等情况下,样品主要技术指标与设计值较为一致。; 甯彪缪旻; 关键词：滤波器空腔太赫兹

1～10Gb/s QSFP收发器的AC耦合策略被引量：1: 2013年; 介绍了基于光纤通信技术的四通道小型可插拔(QSFP)收发器的板级AC耦合策略。借助理论分析,推导出一种选择AC耦合电容值的近似准则,通过对QSFP收发器通道的无源特性以及QSFP收发器全链路的性能测试,验证了AC耦合对QSFP收发器性能的影响,并提出一种采用0201封装尺寸、容值为100nF的AC耦合电容方案。实验证明,此方案可满足QSFP收发器在1Gb/s到10Gb/s码速范围内的性能要求,同时也验证了这种选择AC耦合电容参数的近似准则具有一定的可信度,对其他收发器设计中AC耦合电容的选取具有一定参考价值。; 王海东万里兮宋见; 关键词：光纤通信

聚合物基复合介电材料的研究进展被引量：7: 2011年; 聚合物基复合介电材料是以有机聚合物为基体,将具有高介电常数或易极化的微纳米尺寸的无机颗粒或其它有机物作为填充物复合而成,综合了无机材料的高介电性能,同时还兼备聚合物的粘结性、韧性、易加工性,在信息和微电子工业等领域具有广泛应用。该领域的研究与应用的关键是材料合成路线的设计与性能的有机结合,聚合物基体与表面修饰无机颗粒界面的良好作用,使其具有优良的介电特性。将聚合物基复合介电材料的填料颗粒分为铁电陶瓷、氧化物、碳纳米管类、金属导电颗粒、全有机高分子等几种类型,并概述了各种类型的聚合物基复合介电材料的研究状况,着重分析了聚合物与无机颗粒界面的相互作用,展望了聚合物基复合介电材料未来的发展趋势。; 何光森赵涛朱朋莉孙蓉杜如虚; 关键词：介电性能复合材料

用于三维封装的多层芯片键合对准技术: 2015年; 采用离心力使硅片直角边与模具凹槽直角边贴紧对准的思想,提出了一种用于三维系统封装的多芯片对准技术.基于该技术原理制作了对准装置,并实现了多芯片一次性对准键合(6层芯片).具体过程包括:加工带方形凹槽的模具;将芯片切割为形状一致的方形,并保证边缘整齐;将芯片置入凹槽并旋转模具,对准后停止旋转并夹紧固定堆叠芯片;将固定后的芯片转移至键合腔内实现键合,试验测试键合后对准误差为4μm.具体分析了影响多层芯片对准精度的因素,并提出了优化方案,论证了离心对准技术的可行性.; 陈明祥吕亚平刘孝刚刘胜; 关键词：键合三维封装

图形化SOI衬底上侧向外延生长GaN研究: 2010年; 采用MOCVD系统,在图形化的绝缘体上硅(SOI:silicon-on-insulator)衬底上侧向外延生长了GaN薄膜。利用SEM、TEM和Raman光谱对生长的GaN薄膜的质量进行了分析研究。研究发现,在GaN的侧向外延生长区域,侧向生长的GaN能够完全合并,GaN薄膜内的残余应力减小,穿透位错密度大幅度降低。; 张波陈静魏星武爱民薛忠营罗杰馨王曦张苗; 关键词：氮化镓绝缘体上硅

硅通孔电镀铜填充工艺优化研究被引量：2: 2012年; 研究了孔径40μm的硅通孔铜电镀填充工艺,通过改善电镀工艺条件使得孔径40μm、孔深180μm的硅通孔得以填充满。首先,在种子层覆盖以及电镀液相同条件下通过改变电镀电流密度,研究不同电流密度对于铜填充的影响,确定优化电流密度为1ASD(ASD:平均电流密度)。之后,在相同电流密度下,详细分析了超声清洗、去离子水冲洗以及真空预处理等电镀前处理工艺对铜填充的影响。实验表明,采用真空预处理方法能够有效的将硅通孔内气泡排出获得良好的铜填充。最终铜填充率在电流密度为1ASD、真空预处理条件下接近100%。; 李轶楠蔡坚王德君王谦魏体伟; 关键词：电镀电流密度填充率

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国家科技重大专项(2009ZX02038)

文献类型

领域

主题

机构

作者

传媒

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