您的位置: 专家智库 > >

国家自然科学基金(10804119)

作品数:3 被引量:1H指数:1
相关作者:刘梦伟薛明鑫李俊红李新汪承灏更多>>
相关机构:中国科学院沈阳工业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金辽宁省自然科学基金更多>>
相关领域:自动化与计算机技术电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇压电薄膜
  • 2篇微机电系统
  • 2篇机电系统
  • 2篇ZNO_TH...
  • 2篇ZNO压电薄...
  • 2篇电系统
  • 1篇低应力
  • 1篇兰姆波
  • 1篇PZT薄膜
  • 1篇BASED_...
  • 1篇DEVICE
  • 1篇FABRIC...
  • 1篇MEMS
  • 1篇叉指电极
  • 1篇MICROD...

机构

  • 2篇中国科学院
  • 1篇沈阳工业大学

作者

  • 2篇刘梦伟
  • 1篇汪承灏
  • 1篇李新
  • 1篇李俊红
  • 1篇薛明鑫

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇传感技术学报
  • 1篇纳米技术与精...

年份

  • 1篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2010
3 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
微型硅基弯曲板波器件
2012年
介绍了基于ZnO压电薄膜的微型弯曲板波(FPW)器件的设计与制作。为减小薄膜的应力,器件采用LTO/ZnO/LTO/Si3N4多层复合板结构,并采用直流磁控溅射工艺制备ZnO压电薄膜,在压电复合板结构上沉积两对叉指电极,分别用于Lamb波的激发和接收。X射线衍射分析表明,沉积的ZnO薄膜C轴高度择优;扫描电子显微镜分析表明,制备的ZnO薄膜平整、致密,晶粒生长呈现明显的柱状结构;通过分析制备的高次谐波体声波谐振器(HBAR)器件性能来间接检验ZnO压电薄膜的电学性能,HBAR器件的品质因子较高,表明薄膜有较好的压电性能。利用安捷伦E5071C网络分析仪检测FPW器件的频率响应,结果表明反对称A0模式Lamb波的实测中心频率与理论计算的频率结果基本一致。
李新刘梦伟薛明鑫
关键词:ZNO压电薄膜叉指电极
Design and fabrication of a MEMS Lamb wave device based on ZnO thin film被引量:1
2011年
This paper presents the design and fabrication of a Lamb wave device based on ZnO piezoelectric film. The Lamb waves were respectively launched and received by both Al interdigital transducers.In order to reduce the stress of the thin membrane,the ZnO/Al/LTO/Si3N4/Si multilayered thin plate was designed and fabricated.A novel method to obtain the piezoelectric constant of the ZnO film was used.The experimental results for characterizing the wave propagation modes and their frequencies of the Lamb wave device indicated that the measured center frequency of antisymmetric A0 and symmetric S0 modes Lamb wave agree with the theoretical predictions.The mass sensitivity of the MEMS Lamb wave device was also characterized for gravimetric sensing application.
刘梦伟李俊红马军汪承灏
关键词:兰姆波微机电系统ZNO压电薄膜
基于PZT薄膜面内极化工作的低应力压电微传声器
2011年
本文设计、制作并测试了一种基于压电PZT薄膜面内极化工作的压电微传声器.利用压电薄膜的纵向压电常数,并通过压电微传声器面内电极的设计提高电极间距,以提高压电微传声器的灵敏度.由于基于PZT薄膜的多层结构常具有很大的残余应力,通过5种不同振动膜材料与PZT薄膜的应力匹配实验,研究了降低振动膜应力的方法.结果表明,对于相同尺寸的膜片,PZT/ZrO2/LTO/Si3N4具有最小的变形,其中心处的变形(200 nm)仅为膜片PZT/ZrO2/Si3N4/SiO2中心处变形(17μm)的1%.采用体硅微加工工艺制作了具有方形振动膜(2 mm×2 mm)的压电微传声器结构,采用LTO/Si3N4多层结构作为振动膜结构,方形膜片中心的圆形结构为PZT薄膜,环形叉指结构为Au/Cr电极.压电微传声器在0.15 kHz^6 kHz频率范围内的灵敏度约为0.1 mV/Pa.
刘梦伟汪承灏李俊红
关键词:微机电系统PZT薄膜
A MEMS LAMB WAVE MICRODEVICE BASED ON ZNO THIN FILM
<正>MEMS Lamb wave ultrasonic devices have been shown to be extremely useful for applications of sensor, actuat...
Meng-wei LIU~1,Ming-xin XUE~2,Jun-hong LI~1,Xin LI~2 1 Institute of Acoustics,Chinese Academy of Sciences,Beijing,100190,China, 21 Bei-Si-huan-Xi Road.Beijing.100190,China 2 School of Information Science and Engineering,Shenyang University of Technology, 111 Shenliao West Road,Shenyang,Liaoning 110178,China
文献传递
共1页<1>
聚类工具0