国家高技术研究发展计划(2003AA302750)
- 作品数：7 被引量：1H指数：1
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- RTD与HEMT在InP衬底上的单片集成
- 2007年
- 在半绝缘的50nm InP衬底上采用分子束外延的方法生长了RTD与HEMT的集成材料结构.RTD室温下峰谷电流比最高达到18.39,阻性截止频率大于20.05GHz.栅长为1μm的HEMT截止频率为19.8GHz,最大跨导为237mS/mm.由多个RTD串联形成的多峰值逻辑以及HEMT栅压调节RTD电流的特性也得以验证.
- 马龙张杨戴扬杨富华曾一平王良臣
- 关键词：共振隧穿二极管磷化铟单片集成
- A bistable, self-latching inverter by the monolithic integration of resonant tunnelling diode and high electron mobility transistor
- 2006年
- 马龙黄应龙张杨杨富华王良臣
- 关键词：隧道二极管
- 基于共振隧穿二极管的集成电路研究
- 2006年
- RTD基集成电路所具有的超高速、低功耗和自锁存的特性,使其在数字电路、混合信号电路以及光电子系统中有着重要的应用。首先对RTD与化合物半导体HEMT,HBT以及硅CMOS器件的集成工艺进行了介绍。在MOBILE电路及其改进和延伸的基础上,对高速ADC/DAC电路和低功耗的存储器电路进行了具体的分析。最后对RTD基电路面临的主要问题和挑战进行了讨论,提出基于硅基RTD与线性阈值门(LTG)逻辑相结合是未来纳米级超大规模集成电路的最佳发展方向。
- 马龙黄应龙余洪敏王良臣杨富华
- 关键词：共振隧穿二极管集成电路高频低功耗
- 高性能InGaAs/AlAs共振隧穿二极管的研制与器件模拟分析被引量：1
- 2007年
- 在半绝缘的InP衬底上采用分子束外延的方法生长制备了不同势垒厚度的RTD材料样品,室温下测量的最高峰-谷电流比为18.39.通过模拟得到RTD直流特性与势垒厚度、势阱材料及厚度、隔离层厚度以及掺杂浓度间的关系,对结果进行了分析与讨论.
- 马龙张杨戴扬杨富华曾一平王良臣
- 关键词：共振隧穿二极管电流-电压特性
- 用于高速电路的InP基共振隧穿二极管制作(英文)
- 2006年
- 在InP衬底上采用感应耦合等离子体刻蚀技术制备了高性能的AlAs/In0.53Ga0.47As/InAs共振隧穿二极管.正向偏压下PVCR=7.57,Jp=39.08kA/cm2;反向偏压下PVCR=7.93,Jp=34.56kA/cm2.在未去除测试电极和引线等寄生参数影响下,面积为5μm×5μm的RTD的阻性截止频率为18.75GHz.最后对非对称的I- V特性进行了分析讨论.
- 马龙黄应龙张杨王良臣杨富华曾一平
- 关键词：共振隧穿二极管感应耦合等离子体I-V特性高频
- 基于RTD与CMOS的新型数字电路设计
- 2006年
- 纳米电子器件RTD与CMOS电路结合,这种新型电路不仅保持了CMOS动态电路的所有优点,而且在工作速度、功耗、集成度以及电路噪声免疫性方面都得到了不同程度的改善和提高。文中对数字电路中比较典型的可编程逻辑门、全加器电路进行了设计与模拟,并在此基础上对4×4阵列纳米流水线乘法器进行了结构设计。同时讨论了在目前硅基RTD器件较低的PVCR值情况下实现相应电路的可行性。
- 马龙王良臣黄应龙杨富华
- 关键词：共振隧穿二极管互补金属氧化物半导体全加器乘法器
- RTD基高速多值量化器的设计
- 2005年
- 建立的RTD SPICE模型,与实际制作的GaAs基RTD器件进行了拟合验证.对四值量化器电路的工作原理进行了解释说明,通过器件参数的提取,对电路进行了模拟仿真,确定了电路相关参数.通过公式计算得出的电路阈值电压与模拟结果一致.最后对电路最大的工作频率进行了分析.
- 马龙王良臣杨富华
- 关键词：共振隧穿二极管量化器多值逻辑SPICE
