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国家高技术研究发展计划(2003AA302750)

作品数：7 被引量：1H指数：1
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共 8 条 记 录，以下是 1-8
杨富华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：淀积 相变存储器 电极 纳米尺寸 谐振器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王良臣
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 GAN 发光二极管 共振隧穿二极管 大功率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马龙
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：共振隧穿二极管 GAN 大功率 RTD 发光二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾一平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄应龙
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：RTD HEMT 干法刻蚀技术 发射区 共振隧穿二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张杨
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 电子束曝光 生物传感器 隔离层 锑化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
戴扬
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：共振隧穿二极管 高电子迁移率晶体管 RTD INP衬底 GAAS/ALAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
余洪敏
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GATE FPGA DEDICATED CLA RECONFIGURABLE
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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