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国家高技术研究发展计划(2001AA313060)

作品数：5 被引量：11H指数：1
相关作者：张国义杨志坚陆敏胡晓东章蓓更多>>
相关机构：北京大学更多>>
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相关领域：电子电信理学更多>>

领域

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主题

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机构

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资助

  • 23个国家高技术研...
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传媒

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  • 5个北京大学学报...
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  • 5个材料研究学报
  • 5个电子显微学报

地区

  • 23个北京市
共 23 条 记 录，以下是 1-10
张国义
供职机构：北京大学
研究主题：氮化镓 GAN MOCVD 发光二极管 衬底
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杨志坚
供职机构：北京大学
研究主题：GAN 氮化镓 位错 MOCVD 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陆敏
供职机构：北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室
研究主题：GAN MOCVD 氮化镓 MOCVD生长 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
章蓓
供职机构：北京大学
研究主题：GAN 激光剥离 发光二极管 氮化镓 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡晓东
供职机构：北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室
研究主题：GAN 氮化镓 GAN基激光器 氮化物 MOCVD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李忠辉
供职机构：北京大学
研究主题：发光二极管 高亮度 金属有机化学气相沉积 MQW INGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
潘尧波
供职机构：北京大学
研究主题：氮化镓 出光效率 成核 MOCVD生长 激光剥离
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
任谦
供职机构：北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室
研究主题：GAN MQW MOCVD生长 MOCVD INGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈志忠
供职机构：北京大学
研究主题：GAN 氮化镓 发光二极管 衬底 出光效率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
方慧智
供职机构：北京大学物理学院
研究主题：GAN MOCVD 氮化镓 MOCVD生长 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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