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国家自然科学基金(50402026)

作品数：4 被引量：6H指数：2
相关作者：程新红俞跃辉宋朝瑞何大伟邢玉梅更多>>
相关机构：中国科学院温州大学更多>>
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相关领域：航空宇航科学技术理学电子电信一般工业技术更多>>

领域

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主题

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机构

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资助

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传媒

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地区

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  • 1个北京市
共 12 条 记 录，以下是 1-10
程新红
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 功率器件 栅结构 击穿电压 石墨烯
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宋朝瑞
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI材料 SOI 介质薄膜 SOI_LDMOS 高介电常数
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
俞跃辉
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 离子注入 石墨烯 功率器件 金属
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何大伟
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI ESD保护器件 高介电常数 高压功率器件 栅极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张正选
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 总剂量辐射效应 MOS器件 绝缘体上硅 总剂量效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张恩霞
供职机构：上海工程技术大学材料工程学院
研究主题：SOI SIMOX 绝缘体上硅 SOI材料 抗辐照
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王曦
供职机构：清华大学
研究主题：衬底 SOI 硅 离子注入 绝缘体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邢玉梅
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：碳化硅 高温 氧化铪 SOI材料 铪
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
沈勤我
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：巨磁电阻效应 巨磁电阻 过渡层 多孔硅 电子束蒸发
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
万里
供职机构：温州大学
研究主题：HFO AL2O3 AL 热稳定性 电学
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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