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国防科技重点实验室基金(51432030204DZ0101)

作品数：4 被引量：3H指数：1
相关作者：郝跃张进城高志远陈海峰倪金玉更多>>
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领域

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主题

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  • 11个GAN
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机构

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  • 1个电子科技大学
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  • 1个浙江大学

资助

  • 11个国防科技重点...
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传媒

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  • 8个西安电子科技...
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地区

  • 10个陕西省
  • 1个江苏省
共 11 条 记 录，以下是 1-10
郝跃
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张进城
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN_HEMT GAN 异质结
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高志远
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：GAN 腐蚀坑 位错 英文 GAN薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马香柏
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：电流崩塌 ALGAN/GAN_HEMT GAN 场板 HEMTS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
倪金玉
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAN ALGAN/GAN GAN薄膜 SI基 二维电子气
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈海峰
供职机构：西安电子科技大学微电子学院
研究主题：GIDL 英文 应力 GAN MOS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郭亮良
供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
研究主题：击穿电压 电流崩塌 场板 HEMTS ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨燕
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 GAN 解析模型 ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张进成
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：成核 SUB 势垒层 高电子迁移率晶体管 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张金凤
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：ALGAN/GAN GAN 高电子迁移率晶体管 HEMT 二维电子气
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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