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国家自然科学基金(60476017)

作品数：7 被引量：10H指数：2
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地区

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共 11 条 记 录，以下是 1-10
梁仁荣
供职机构：清华大学
研究主题：沟道 场效应晶体管 半导体结构 晶体管 栅结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许军
供职机构：清华大学
研究主题：沟道 半导体结构 场效应晶体管 晶体管 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐阳
供职机构：清华大学
研究主题：应变硅 全景图像 遥感图像 SIGE_HBT 自对准
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张侃
供职机构：清华大学
研究主题：应变硅 迁移率 P-MOSFET 英文 空穴迁移率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王敬
供职机构：清华大学
研究主题：沟道 半导体结构 场效应晶体管 晶体管 栅结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨宗仁
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所
研究主题：迁移率 应变硅 英文
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
顾玮莹
供职机构：清华大学
研究主题：迁移率 双轴 应变硅 CMOS器件 P-MOSFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钱佩信
供职机构：清华大学
研究主题：SIGE SIGE_HBT HBT SOI 锗化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李德斌
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所
研究主题：MOSFET 动态阈值 高性能
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘志弘
供职机构：清华大学
研究主题：双极晶体管 发射区 锗硅异质结双极晶体管 发射极 锗硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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