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国家自然科学基金(60476017)

作品数：7 被引量：10H指数：2
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地区

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共 11 条 记 录，以下是 1-10
梁仁荣
供职机构：清华大学
研究主题：沟道 场效应晶体管 晶体管 半导体结构 栅结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许军
供职机构：清华大学
研究主题：沟道 半导体结构 场效应晶体管 晶体管 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐阳
供职机构：清华大学
研究主题：应变硅 全景图像 SIGE 遥感图像 SIGE_HBT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张侃
供职机构：清华大学
研究主题：应变硅 P-MOSFET 空穴迁移率 迁移率 MATERIAL
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王敬
供职机构：清华大学
研究主题：沟道 半导体结构 场效应晶体管 晶体管 栅结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨宗仁
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所
研究主题：MATERIAL FABRICATION DEVICES VIRTUAL SUBSTRATE
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
顾玮莹
供职机构：清华大学
研究主题：IMPACT ENHANCEMENT CMOS器件 CHANNEL P-MOSFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钱佩信
供职机构：清华大学
研究主题：SIGE HBT SIGE_HBT SOI UHV/CVD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李德斌
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所
研究主题：MOSFET 动态阈值 高性能
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘志弘
供职机构：清华大学
研究主题：双极晶体管 发射区 锗硅异质结双极晶体管 发射极 锗硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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