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国家重点基础研究发展计划(2002CB311903)

作品数：35 被引量：52H指数：4
相关作者：刘新宇和致经王晓亮陈晓娟刘键更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所中国科学院四川龙瑞微电子有限公司更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划中国科学院重点实验室基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>

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共 63 条 记 录，以下是 1-10
刘新宇
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 欧姆接触 ALGAN/GAN 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
和致经
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：ALGAN/GAN 欧姆接触 HEMT ALGAN/GAN_HEMT HEMTS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王晓亮
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 GAN 高电子迁移率晶体管 铝镓氮 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈晓娟
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：ALGAN/GAN HEMT KU波段 氮化镓 内匹配
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘键
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：硅衬底 ALGAN/GAN ALGAN/GAN_HEMT 氮化碳薄膜 氮化碳
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏珂
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 势垒层 欧姆接触 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李诚瞻
供职机构：株洲南车时代电气股份有限公司
研究主题：外延层 碳化硅 ALGAN/GAN 欧姆接触 ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王军喜
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 氮化物 多量子阱
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘果果
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：刻蚀 ALGAN/GAN_HEMT 氮化镓 ALGAN/GAN 电流崩塌
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗卫军
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 HEMT 金属 ALGAN/GAN 研磨工艺
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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