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国家自然科学基金(60576051)

作品数：6 被引量：3H指数：1
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地区

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共 12 条 记 录，以下是 1-10
韩郑生
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 绝缘体上硅 电路 SRAM 建模方法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘梦新
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：背栅 绝缘体上硅 硅化物 探测电路 射频
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
毕津顺
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 绝缘体上硅 电路 沟道 背栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
范雪梅
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：射频 背栅 SOI_LDMOS 硅化物 多晶硅栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杜寰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：LDMOS 硅基液晶 像素电路 静电保护 晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宋李梅
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：VDMOS 漂移区 LDMOS 功率VDMOS器件 外延层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘刚
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：背栅 硅化物 绝缘体上硅 总剂量 功率VDMOS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
海潮和
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 绝缘体上硅 英文 集成电路 电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李俊峰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 刻蚀 衬底 沟道 栅极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钱鹤
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：英文 SOI 刻蚀 自对准硅化物 射频
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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