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国家重点基础研究发展计划(G2000036503)

作品数：12 被引量：10H指数：2
相关作者：谭长华许铭真张兴黄如王阳元更多>>
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地区

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共 19 条 记 录，以下是 1-10
许铭真
供职机构：北京大学
研究主题：MOS器件 英文 场效应晶体管 超薄栅氧化层 MOSFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谭长华
供职机构：北京大学
研究主题：MOS器件 英文 场效应晶体管 超薄栅氧化层 软击穿
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王阳元
供职机构：北京大学
研究主题：场效应晶体管 逻辑器件 沟道 SOI 集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
万新恒
供职机构：北京大学信息科学技术学院微电子研究院
研究主题：MOSFET 单片机 场效应晶体管 SOI 薄膜晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄如
供职机构：北京大学
研究主题：场效应晶体管 沟道 存储器 晶体管 超大规模集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵要
供职机构：北京大学信息科学技术学院微电子学系
研究主题：HALO结构 热载流子 V 可靠性 热载流子效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张兴
供职机构：北京大学
研究主题：场效应晶体管 集成电路 沟道 电路 锗
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高文钰
供职机构：北京大学信息科学技术学院微电子研究院
研究主题：SIO MOSFET 电离辐射 栅介质 MOS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡靖
供职机构：北京大学信息科学技术学院微电子研究院
研究主题：英文 热载流子效应 热载流子 V 场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
霍宗亮
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：存储器 沟道 闪存 介质层 电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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