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国家高技术研究发展计划(2004AA1Z1060)
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孙伟锋
易扬波
时龙兴
陆生礼
李海松
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东南大学
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国家高技术研究发展计划
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孙伟锋
供职机构:东南大学
研究主题:多晶硅栅 栅氧化层 氧化层 金属 电路
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易扬波
供职机构:东南大学
研究主题:氧化层 栅氧化层 金属氧化物半导体 接触孔 高压器件
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时龙兴
供职机构:东南大学
研究主题:多晶硅栅 氧化层 栅氧化层 金属 绝缘体上硅
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所获资助
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陆生礼
供职机构:东南大学
研究主题:多晶硅栅 栅氧化层 氧化层 金属 绝缘体上硅
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李海松
供职机构:东南大学
研究主题:氧化层 栅氧化层 多晶硅栅 金属氧化物半导体 半导体管
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刘侠
供职机构:东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心
研究主题:VDMOS 体硅 VDM 电容 导通电阻
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杨东林
供职机构:东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心
研究主题:VDMOS 导通电阻 击穿电压 VDM 电容
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王钦
供职机构:东南大学
研究主题:导通电阻 击穿电压 体硅 温度效应 公路绿化带
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孙智林
供职机构:东南大学
研究主题:LDMOS 氧化层 击穿电压 驱动芯片 SOI
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吴虹
供职机构:东南大学
研究主题:驱动芯片 绝缘体上硅 氧化物半导体 氧 高压器件
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