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国家重点基础研究发展计划(2002CB3119)

作品数：12 被引量：60H指数：3
相关作者：郝跃张进城冯倩王冲杨燕更多>>
相关机构：西安电子科技大学教育部北京时代民芯科技有限公司更多>>
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领域

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机构

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资助

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地区

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共 20 条 记 录，以下是 1-10
郝跃
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张进城
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN_HEMT GAN 淀积
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王冲
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：高电子迁移率晶体管 电极 ALGAN/GAN HEMT器件 势垒层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冯倩
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：击穿电压 场板 ALGAN/GAN ALGAN/GAN_HEMT 淀积
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨燕
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 GAN 解析模型 ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马香柏
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：电流崩塌 ALGAN/GAN_HEMT GAN 场板 HEMTS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李培咸
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：成核 蓝宝石衬底 多量子阱 发光二极管 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高志远
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：GAN 腐蚀坑 位错 KOH 英文
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
范隆
供职机构：北京时代民芯科技有限公司
研究主题：电离辐射 PMOS 运算放大器 剂量计 MOSFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张金凤
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：ALGAN/GAN GAN 高电子迁移率晶体管 二维电子气 HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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