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国家高技术研究发展计划(2002AA313040)

作品数：6 被引量：25H指数：4
相关作者：张永刚李爱珍郝国强顾溢朱诚更多>>
相关机构：中国科学院更多>>
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主题

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地区

  • 9个上海市
共 9 条 记 录，以下是 1-9
张永刚
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：INGAAS 分子束外延 缓冲层 光电探测器 INP基
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李爱珍
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：量子级联激光器 氮化镓 氢化物气相外延 激光器 光电探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱诚
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：INGAP/GAAS 光伏 化合物半导体 I-V特性 多结太阳电池
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
顾溢
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：分子束外延 INGAAS INP基 缓冲层 光电探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘盛
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：锑化物 INGAASSB GASB 半导体激光器 量子阱结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑燕兰
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：分子束外延 MBE生长 锑化物 INGAASSB 激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郝国强
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：光电探测器 INGAAS 暗电流 PIN光电探测器 短波红外
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
唐田
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：MBE生长 INGAASSB 锑化物 分子束外延 激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘天东
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：光电探测器 化合物半导体 INGAP/GAAS 光伏 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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