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国家自然科学基金(69576020)

作品数：2 被引量：11H指数：2
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共 6 条 记 录，以下是 1-6
王少阶
供职机构：武汉大学
研究主题：正电子湮没 正电子 谱学研究 自由体积 高聚物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王柱
供职机构：武汉大学
研究主题：正电子湮没 正电子 正电子寿命 GASB 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈志权
供职机构：武汉大学物理科学与技术学院
研究主题：正电子湮没 正电子 ZNO 慢正电子束 离子注入
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙聂枫
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：磷化铟 坩埚 晶体生长 INP 籽晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙同年
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：磷化铟 晶体生长 坩埚 INP VGF
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
毛卫东
供职机构：武汉大学
研究主题：INP 化合物半导体 空位 寿命研究 正电子寿命
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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