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国家自然科学基金(69576020)

作品数:2 被引量:11H指数:2
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6 条 记 录,以下是 1-6
王少阶
供职机构:武汉大学
研究主题:正电子湮没 正电子 谱学研究 自由体积 高聚物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王柱
供职机构:武汉大学
研究主题:正电子湮没 正电子 正电子寿命 GASB 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈志权
供职机构:武汉大学物理科学与技术学院
研究主题:正电子湮没 正电子 ZNO 慢正电子束 离子注入
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙聂枫
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:磷化铟 坩埚 晶体生长 INP 磷
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙同年
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:磷化铟 晶体生长 坩埚 INP VGF
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
毛卫东
供职机构:武汉大学
研究主题:INP 化合物半导体 空位 寿命研究 正电子寿命
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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