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国家自然科学基金(60636010)

作品数：8 被引量：6H指数：1
相关作者：许军梁仁荣张侃徐阳王敬更多>>
相关机构：清华大学南京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划Scientific Research Foundation for the Returned Overseas Chinese Scholars, State Education Ministry更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学一般工业技术更多>>

领域

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机构

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资助

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地区

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共 13 条 记 录，以下是 1-10
梁仁荣
供职机构：清华大学
研究主题：沟道 场效应晶体管 半导体结构 晶体管 栅结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许军
供职机构：清华大学
研究主题：沟道 半导体结构 场效应晶体管 晶体管 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张侃
供职机构：清华大学
研究主题：应变硅 迁移率 P-MOSFET 英文 空穴迁移率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
闵乃本
供职机构：南京大学物理学院固体微结构物理国家重点实验室
研究主题：光学超晶格 超晶格 铁电薄膜 长程 胶体晶体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱健民
供职机构：南京大学
研究主题：微结构 HREM TEM研究 微结构研究 HRTEM
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨宗仁
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所
研究主题：迁移率 应变硅 英文
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王敬
供职机构：清华大学
研究主题：沟道 半导体结构 场效应晶体管 晶体管 栅结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐阳
供职机构：清华大学
研究主题：应变硅 全景图像 遥感图像 SIGE_HBT 自对准
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱信华
供职机构：南京大学
研究主题：微结构 HREM 铁电薄膜 微结构表征 微结构研究
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
顾玮莹
供职机构：清华大学
研究主题：迁移率 双轴 应变硅 CMOS器件 P-MOSFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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