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国家高技术研究发展计划(2002AA1Z1210)

作品数:16 被引量:166H指数:8
相关作者:杨银堂朱樟明刘帘曦付永朝朱磊更多>>
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领域

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主题

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  • 9个基准源
  • 8个带隙基准
  • 8个带隙基准源
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  • 5个压控
  • 5个压控振荡器
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机构

  • 18个西安电子科技...
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  • 1个西安科技大学
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  • 1个西安通信学院

资助

  • 18个国家高技术研...
  • 13个国家自然科学...
  • 9个国防科技技术...
  • 7个国家部委预研...
  • 6个国家部委资助...
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  • 3个国家科技重大...
  • 3个中央级公益性...
  • 3个电子元器件可...
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  • 2个博士科研启动...

传媒

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  • 2个科学通报
  • 2个计算机研究与...
  • 2个硅酸盐学报
  • 2个电子学报

地区

  • 17个陕西省
  • 1个北京市
18 条 记 录,以下是 1-10
朱樟明
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:模数转换器 电路 逐次逼近型 逐次逼近型模数转换器 输入端
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨银堂
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:硅 片上网络 电路 CMOS 低功耗
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘帘曦
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:电路 压电 控制电路 输入端 带隙基准
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
付永朝
供职机构:西安电子科技大学微电子学院微电子研究所
研究主题:VERILOG-A VCO设计 压控振荡器 行为级模型 系统仿真
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张春朋
供职机构:清华大学
研究主题:换流器 路由器 母线 异步电机 多端口
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱磊
供职机构:西安电子科技大学微电子学院微电子研究所
研究主题:带隙电压基准源 CMOS 高性能 CMOS带隙 温度补偿
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
付晓东
供职机构:西安电子科技大学微电子学院微电子研究所
研究主题:CMOS 混合信号集成电路 衬底耦合噪声 衬底耦合 衬底噪声
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴晓鹏
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:静电放电 衬底噪声 NMOS GGNMOS ESD保护器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
柴常春
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:碳化硅 电磁脉冲 电路 电极 高功率微波
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
雷晗
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:RC振荡器 周期 电路设计
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共2页<12>
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