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国家高技术研究发展计划(2002AA312040)

作品数：4 被引量：2H指数：1
相关作者：李献杰赵永林蔡道民江李曾庆明更多>>
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共 23 条 记 录，以下是 1-10
李献杰
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：单片集成 量子阱红外探测器 INP/INGAAS INP OEIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵永林
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：单片集成 量子阱红外探测器 ALGAAS/GAAS 紫外 双色探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蔡道民
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：单片集成 功率附加效率 功率放大器 偏置电路 量子阱红外探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾庆明
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：INP/INGAAS HBT HEMT OEIC INP
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
江李
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：MOCVD生长 OEIC 异质结双极晶体管 磷化铟 半导体激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王全树
供职机构：中国电子科技集团公司
研究主题：INP GAAS_HBT OEIC 触发器 ALGAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马骁宇
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：半导体激光器 激光器 半导体可饱和吸收镜 热沉 量子阱混杂
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈晓杰
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：制样 场效应晶体管 精准定位 超低温 保护层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王志功
供职机构：东南大学
研究主题：CMOS CMOS工艺 光纤通信 神经信号 压控振荡器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐安怀
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：INP DHBT 磷化铟 异质结双极晶体管 气态源分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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