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国家重点基础研究发展计划(G2002CB311901)

作品数:33 被引量:35H指数:3
相关作者:张海英尹军舰张健李潇陈立强更多>>
相关机构:中国科学院微电子研究所四川大学中国科学院更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
相关领域:电子电信电气工程更多>>

领域

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资助

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地区

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37 条 记 录,以下是 1-10
张海英
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:频率综合器 单片集成 脉搏波 功率放大器 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
尹军舰
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:砷化镓 英文 GAAS 高电子迁移率晶体管 PIN二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张健
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:频率综合器 OFDM_UWB 快速跳频 综合器 频率合成技术
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘训春
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:晶体管 HBT 电子束曝光 INP 英文
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李潇
供职机构:四川大学
研究主题:高电子迁移率晶体管 磷化铟 英文 心血管系统 INP
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘亮
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:晶体管 外延片 电子束曝光 高电子迁移率晶体管 显影
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈立强
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:MMIC 微波单片集成电路 INGAP/GAAS_HBT HBT INP
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李志强
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:频率综合器 收发机 本振信号 综合器 功率放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐静波
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:单片集成 纳米线 场效应晶体管 背栅 MHEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
叶甜春
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:X射线光刻 沟道 半导体器件 版图 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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