您的位置： 专家智库 > >

国家重点基础研究发展计划(TG2000036503)

作品数：4 被引量：1H指数：1
相关作者：谭长华许铭真段小蓉王彦刚石凯更多>>
相关机构：北京大学更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

领域

  • 5个电子电信
  • 4个自动化与计算...
  • 4个理学
  • 1个核科学技术
  • 1个医药卫生

主题

  • 6个电流
  • 5个电路
  • 5个氧化层
  • 5个载流子
  • 5个栅电流
  • 5个栅氧化
  • 5个栅氧化层
  • 4个导电
  • 4个导电机制
  • 4个电导
  • 4个电流特性
  • 4个电子器件
  • 4个应力
  • 3个电荷
  • 3个电离
  • 3个电容
  • 3个电压
  • 3个氧化层厚度
  • 3个氧化硅薄膜
  • 2个导体

机构

  • 6个北京大学

资助

  • 6个国家重点基础...
  • 3个国家教育部博...
  • 2个国家科技攻关...

传媒

  • 6个Journa...
  • 4个物理学报
  • 4个电子学报
  • 4个中国集成电路
  • 4个第十三届全国...
  • 4个第十三届全国...
  • 4个第十四届全国...
  • 4个第十五届全国...
  • 3个北京大学学报...
  • 3个固体电子学研...
  • 3个第八届全国固...
  • 3个第十二届全国...
  • 3个第十六届全国...
  • 2个半导体技术
  • 2个大连理工大学...
  • 2个半导体杂志
  • 2个微电子学
  • 2个第二届全国信...
  • 2个第七届全国固...
  • 2个第十七届全国...

地区

  • 6个北京市
共 6 条 记 录，以下是 1-6
谭长华
供职机构：北京大学
研究主题：MOS器件 英文 场效应晶体管 超薄栅氧化层 软击穿
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许铭真
供职机构：北京大学
研究主题：MOS器件 英文 场效应晶体管 超薄栅氧化层 MOSFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
段小蓉
供职机构：北京大学
研究主题：软击穿 超薄栅氧化层 MOS器件 N-MOSFET 超薄栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王彦刚
供职机构：北京大学信息科学技术学院微电子研究院
研究主题：超薄栅氧化层 软击穿 SI/SIO2 N-MOSFET 栅电流
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何燕冬
供职机构：北京大学
研究主题：MOS器件 沟道 漏极 阈值电压 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
石凯
供职机构：北京大学
研究主题：存储器件 FLASH 易燃气体 参考电流 冰箱
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0