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国家重点基础研究发展计划(2014CB339900)

作品数：20 被引量：28H指数：3
相关作者：杨银堂段宝兴袁嵩袁小宁曹震更多>>
相关机构：西安电子科技大学中国科学院国网信息通信产业集团有限公司更多>>
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地区

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共 14 条 记 录，以下是 1-10
杨银堂
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：硅 片上网络 电路 CMOS 碳化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
段宝兴
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：击穿电压 漂移区 晶体管 纵向电场 场效应管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
袁嵩
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：击穿电压 漂移区 异质结场效应晶体管 ALGAN/GAN 槽栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曹震
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：场效应管 金属氧化物半导体 击穿电压 多数载流子 半绝缘多晶硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
袁小宁
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：击穿电压 表面电场 场效应管 电场分布 JUNCTION
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李春来
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：击穿电压 比导通电阻 埋层 场效应管 表面电场
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘芳
供职机构：北京邮电大学
研究主题：网络 全双工 信道 目标图像 中继系统
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郭海军
供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
研究主题：表面电场 GA ALGAN/GAN AL 击穿电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吕建梅
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：多数载流子 半绝缘多晶硅 金属氧化物半导体 宽带隙半导体 击穿电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
柴常春
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：碳化硅 电磁脉冲 电极 高功率微波 电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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