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国家高技术研究发展计划(2006AA03Z415)

作品数：10 被引量：21H指数：3
相关作者：王启明成步文薛春来白安琪左玉华更多>>
相关机构：中国科学院更多>>
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共 20 条 记 录，以下是 1-10
成步文
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：硅基 锗 光电探测器 探测器 电极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王启明
供职机构：中国科学院国家天文台
研究主题：FAST 反射面 射电望远镜 促动器 大射电望远镜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
薛春来
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：硅基 锗 电极 填埋层 探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
白安琪
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：多孔氧化铝膜 分子束外延生长 分子束外延 衬底 氧化铝膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
左玉华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：硅基 钙钛矿 可调谐滤波器 探测器 SI基
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
苏少坚
供职机构：华侨大学信息科学与工程学院
研究主题：分子束外延生长 锗 硅基 SN 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡迪
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：阳极氧化铝模板 多孔氧化铝模板 超薄 氧化铝膜 DNA
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
薛海韵
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：硅基 CVD生长 UHV SI衬底 抽真空
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郭剑川
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：光电探测器 硅基 波段 ROF 光控相控阵雷达
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
丁武昌
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：发光 硅基 磁控溅射 掺ER 铒
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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