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国家高技术研究发展计划(2004AA311040)

作品数：4 被引量：10H指数：2
相关作者：王军喜李晋闽魏同波刘喆段瑞飞更多>>
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地区

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共 15 条 记 录，以下是 1-10
王军喜
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 氮化物 多量子阱
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晋闽
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘喆
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GAN 发光二极管 氮化镓 衬底 多量子阱
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏同波
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：发光二极管 衬底 氮化镓 多量子阱 氮化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾一平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
段瑞飞
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氢化物气相外延 衬底 厚膜 GAN 氮化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 电子阻挡层 成核 铟镓氮
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
闫建昌
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：紫外发光二极管 发光二极管 ALGAN 电子阻挡层 氮化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王启元
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：硅衬底 氧化铝薄膜 MOCVD 热退火 氧化铝
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘宏新
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 氮化镓 GAN RF-MBE 二维电子气
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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