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国防科技技术预先研究基金(41308020413)

作品数:1 被引量:2H指数:1
相关作者:钟怡刘玉奎何开全杨谟华谭开洲更多>>
相关机构:中国电子科技集团公司第二十四研究所电子科技大学中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
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领域

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主题

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机构

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  • 1个中国电子科技...
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资助

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传媒

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  • 1个电子工艺技术
  • 1个电子学报
  • 1个光学学报
  • 1个激光技术

地区

  • 7个重庆市
  • 1个四川省
8 条 记 录,以下是 1-8
胡刚毅
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:电路 模数转换器 采样开关 比较器 跨导放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘玉奎
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:微电子机械系统 击穿电压 硅薄膜 MEMS 压力传感器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谭开洲
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:半导体 深槽 VDMOS 半导体器件 导电类型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钟怡
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:半导体 绝缘层 深槽 半导体器件 功率半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐世六
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:比较器 逐次逼近型模数转换器 采样开关 逐次逼近型 SAR_ADC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张正璠
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:A/D转换器 CMOS 电路 集成电路 硅栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨谟华
供职机构:电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
研究主题:电流崩塌 表面态 CMOS SIGE GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何开全
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:电路 BICMOS SOI VDMOS 串联电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共1页<1>
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