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国防科技技术预先研究基金(41308060106)

作品数：13 被引量：45H指数：5
相关作者：郝跃冯倩张进城李培咸杨燕更多>>
相关机构：西安电子科技大学中国科学院更多>>
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领域

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主题

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资助

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地区

  • 14个陕西省
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共 16 条 记 录，以下是 1-10
郝跃
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张进城
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN_HEMT GAN 淀积
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冯倩
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：击穿电压 场板 ALGAN/GAN ALGAN/GAN_HEMT 淀积
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李培咸
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：成核 蓝宝石衬底 多量子阱 发光二极管 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王冲
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：高电子迁移率晶体管 电极 ALGAN/GAN HEMT器件 势垒层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨燕
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 GAN 解析模型 ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王峰祥
供职机构：西安电子科技大学微电子学院微电子研究所
研究主题：ALGAN 拉曼散射 MOCVD 摇摆曲线 GAN薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张金凤
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：ALGAN/GAN GAN 高电子迁移率晶体管 二维电子气 HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张晓菊
供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
研究主题：深亚微米槽栅 槽栅 ALGAN/GAN 槽栅PMOSFET SIGE_HBT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
范隆
供职机构：北京时代民芯科技有限公司
研究主题：电离辐射 PMOS 运算放大器 剂量计 MOSFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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