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国家自然科学基金(60976068)

作品数：21 被引量：25H指数：3
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领域

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地区

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共 33 条 记 录，以下是 1-10
刘红侠
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：单粒子 总剂量 抗辐照 栅氧化层 集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
袁博
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：乘法器 低功耗 图像 肤色区域 逻辑单元
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曹磊
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：隐私 势垒 SOI_MOSFET 高K栅介质 自加热效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
匡潜玮
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：ALD 高K栅介质 原子层淀积 HFO 材料特性
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李劲
供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
研究主题：SI/SI1-XGEX 反型层 电子迁移率 迁移率模型 SOI_MOSFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高博
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：P-I-N MESH结构 边界值 灰度值 互连线
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李斌
供职机构：西南科技大学
研究主题：出色 半导体致冷器 光线 限流 调制信号
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卓青青
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：SOI NMOS器件 总剂量效应 总剂量 MOS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郝跃
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王冲
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：高电子迁移率晶体管 电极 ALGAN/GAN HEMT器件 势垒层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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