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国家重点基础研究发展计划(2012CB619306)

作品数：7 被引量：2H指数：1
相关作者：毛德丰金鹏王新强李维刘贵鹏更多>>
相关机构：北京大学中国科学院更多>>
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领域

  • 12个电子电信
  • 8个理学
  • 6个一般工业技术
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  • 5个电气工程
  • 5个文化科学
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  • 1个建筑科学
  • 1个水利工程

主题

  • 10个退火
  • 10个温度
  • 10个局域
  • 10个发光
  • 10个高温退火
  • 9个合金
  • 9个ALGAN
  • 8个导体
  • 7个氮化物
  • 7个局域态
  • 6个氮化物半导体
  • 6个氮化镓
  • 6个光强
  • 6个光强度
  • 6个发光强度
  • 5个单晶
  • 5个氮化
  • 5个等效
  • 4个带宽
  • 4个单晶薄膜

机构

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  • 2个南开大学
  • 2个中国科学院大...
  • 1个北京师范大学
  • 1个河南大学
  • 1个北京工业大学
  • 1个中国电子学会

资助

  • 12个国家重点基础...
  • 8个国家高技术研...
  • 8个国家自然科学...
  • 6个北京市科技计...
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传媒

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地区

  • 12个北京市
共 12 条 记 录，以下是 1-10
段俊熙
供职机构：北京大学
研究主题：量子输运 磁电阻 GAN 铝 XGA
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唐宁
供职机构：北京大学
研究主题：二维电子气 氮化镓 GAN异质结构 XGA 自旋
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王占国
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点 量子级联激光器 衬底 砷化镓 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王维颖
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：ALN 衬底 ALGAN 高温退火 高温
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
沈波
供职机构：北京大学
研究主题：氮化镓 GAN 氮化物 位错 成核
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘贵鹏
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：高反射率 发光二级管 多量子阱 芯片 散热基板
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
毛德丰
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：功率发光二极管 功率LED 热阻 正向电压 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许福军
供职机构：北京大学
研究主题：成核 位错 氮化镓 GAN ALN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
金鹏
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点 分子束外延 衬底 砷化铟 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李维
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：衬底 ALN ALGAN 高温退火 高温
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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