厦门大学物理科学与技术学院福建省半导体材料及应用重点实验室
- 作品数：4 被引量：0H指数：0
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- 多场调控氮化物半导体量子结构及其固态光源应用
- 2021年
- 简要回顾了氮化物半导体发光二极管技术的发展历程,总结了多物理场作为有效调控和裁剪氮化物量子结构关键特性的重要手段,着重介绍了近年来厦门大学在半导体固态光源量子结构材料和器件方面的研究进展,特别是在氮化物半导体量子结构关键技术开发中,率先联合调控化学势场、光场、极化场以及电场等获得的有影响的重要创新成果.
- 林伟高娜李金钗黄凯蔡端俊李书平康俊勇
- 关键词：固态光源氮化物半导体量子结构
- 基于远场光谱的表面等离激元耦合特性研究
- 2023年
- 采用快速热退火方法制备了尺寸较小、密度较高的银纳米颗粒阵列,其面密度在一定区间可调控。通过实验测得银纳米颗粒阵列的远场反射和透射谱,进一步经理论数值变换,研究了所制备银纳米颗粒阵列的吸收、散射及消光特性。从谱线的变化趋势可知,当银纳米颗粒阵列的面密度不断增大、即颗粒间距逐步减小时,所产生的局域表面等离激元共振的波长发生红移;而且相邻金属纳米颗粒的耦合作用越强,波长红移越明显。该方法为分析高密度、小尺寸,特别是粒子间存在耦合的金属纳米颗粒阵列的等离激元特性提供了有效参考。
- 陈柏逸朱啟芬高娜李鹏岗黄凯吴雅苹康俊勇
- 关键词：表面等离激元
- 紫外LED隧穿结的模拟设计
- 2018年
- 采用APSYS软件设计渐变Al组分隧穿结,利用渐变组分间带阶结合AlGaN材料先天存在的自发极化和压电极化调控能带,增强载流子扩散-漂移联合运动方式,有助于增大载流子在隧穿结内的迁移隧穿概率.经过优化,p^+-AlGaN中Al组分自下而上线性地由0.45渐变到0.70,n^+-AlGaN中Al组分自下向上线性地由0.70渐变到0.45.器件I-V曲线在开启电压以上,呈现近线性关系,表明渐变Al组分隧穿结深紫外LED器件表现出更佳的电注入特性,297nm室温电致发光峰强度高于非渐变结构深紫外LED.内量子效率、光功率和辐射复合率模拟结果进一步证实渐变Al组分隧穿结的引入增大了有源区注入的空穴浓度,量子阱内辐射复合率得到提高.
- 林伟吴雅苹李德鹏卢诗强
- 关键词：光电特性电子结构
- Mg杂质调控高Al组分AlGaN光学偏振特性
- 2016年
- 高Al组分(即原子分数)AlGaN带边发光以e光为主的发光特性,从根本上限制了沿c面生长器件的正面出光,成为光电器件发光效率急剧下降的主要原因.第一性原理模拟计算表明,AlxGa1-xN混晶的晶格常数比c/a偏离理想值程度随Al组分的增大而增大,导致晶体场分裂能Δcr从GaN的40meV逐渐减小;当组分达到0.5时呈现0值,Al组分继续提升,Δcr进一步下降,价带顶排列顺序翻转,直至AlN达到最低值-197meV.通过Mg掺杂应变AlGaN量子结构能带工程调控高Al组分AlGaN的价带结构,反转价带顶能带排序,实现光发射o光占主导,从根本上克服高Al组分AlGaN发光器件正面出光难的问题.
- 郑同场林伟蔡端俊李金钗李书平康俊勇
