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上海晶盟硅材料有限公司

作品数：107 被引量：0H指数：0
相关机构：有研新材料股份有限公司新疆新特新能材料检测中心有限公司上海新傲科技股份有限公司更多>>
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合作机构

文献类型

  • 102篇专利
  • 5篇标准

领域

  • 6篇自动化与计算...
  • 3篇电子电信
  • 3篇电气工程
  • 3篇语言文字
  • 2篇化学工程
  • 2篇石油与天然气...
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇文化科学
  • 1篇经济管理
  • 1篇天文地球
  • 1篇建筑科学
  • 1篇水利工程
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 51篇外延片
  • 33篇外延层
  • 18篇电阻率
  • 17篇衬底
  • 12篇单晶
  • 12篇硅片
  • 11篇多晶
  • 11篇晶片
  • 11篇晶圆
  • 11篇均匀性
  • 10篇半导体
  • 9篇外延炉
  • 9篇半导体器件
  • 8篇单晶硅
  • 7篇电阻
  • 7篇功率器件
  • 7篇掺杂
  • 6篇气口
  • 6篇腔体
  • 6篇过渡区

机构

  • 107篇上海晶盟硅材...
  • 2篇有研新材料股...
  • 1篇有色金属技术...
  • 1篇上海亿钶气体...
  • 1篇新疆大全新能...
  • 1篇宜昌南玻硅材...
  • 1篇唐山三孚电子...
  • 1篇有研半导体材...
  • 1篇上海新昇半导...
  • 1篇昊华气体有限...
  • 1篇沁阳国顺硅源...
  • 1篇武汉新硅科技...
  • 1篇上海申和热磁...
  • 1篇江西晨光新材...
  • 1篇陕西有色天宏...
  • 1篇上海新傲科技...
  • 1篇新疆新特新能...

年份

  • 10篇2024
  • 13篇2023
  • 11篇2022
  • 6篇2021
  • 3篇2020
  • 4篇2019
  • 5篇2018
  • 13篇2017
  • 4篇2016
  • 7篇2015
  • 9篇2014
  • 4篇2013
  • 11篇2012
  • 6篇2011
  • 1篇2010
共 107 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
外延片、外延片制备方法以及半导体器件
本发明公开了一种外延片，其特征在于，包括衬底和外延层；所述衬底和所述外延层的掺杂类型不同；所述衬底为P型掺杂，所述外延层为N型掺杂；或者，所述衬底为N型掺杂，所述外延层为P型掺杂。本发明的外延片，曲翘度满足后道器件的生产...
高璇
文献传递
超重掺红磷衬底的外延制造方法以及装置
本发明实施例公开了一种超重掺红磷衬底的外延制造方法以及装置，涉及芯片制造技术领域，所述方法包括：获取超重掺红磷衬底，以及获取多个预设本征参数和多个预设刻蚀参数；依次基于每个预设本征参数对所述超重掺红磷衬底执行本征处理，获...
顾广安吴勇陈建纲朱小波
高压功率器件用极厚外延片
本实用新型公开了一种高压功率器件用极厚外延片，包括衬底和外延层，其特征在于，所述衬底为6寸以上，所述外延层厚度为100μm以上。本实用新型可以有效的解决在大量的工业连续生产过程中大尺寸极厚外延在外延后晶片碎裂、边缘压痕、...
王浩邹崇生
文献传递
外延掺杂气体的稀释装置
本实用新型涉及一种外延掺杂气体的稀释装置，包括用于通过掺杂气体的第一管路，第一管路上设置有浓度检测机构和第一流量控制机构，以及控制器，与浓度检测机构和第一流量控制机构信号连接。本实用新型的稀释装置提供的经稀释的掺杂气体具...
顾广安陈建纲王俊杰
文献传递
一种外延炉压力开关的校验装置
本实用新型涉及外延炉加工技术领域，具体地说是一种外延炉压力开关的校验装置。一种外延炉压力开关的校验装置，包括压力开关，其特征在于：所述的压力开关一侧的管道上设有接头一，接头一一端连接接头二一端，接头二另一端连接调压阀的出...
张文池志才顾广安
外延片、其生产方法及超结功率器件
本发明公开了一种外延片，包括衬底和第一外延层，其特征在于，所述的第一外延层电阻率呈同心圆状分布。本发明中的外延片，电阻率呈同心圆状分布。在沟槽蚀刻并填充外延材料后，电荷分布均匀，不会产生电性失效的问题。使用本发明中的外延...
林志鑫钟旻远姚桢
文献传递
双层外延片的制备方法、设备及双层外延片
本发明公开了一种双层外延片的制备方法及双层外延片，制备方法：在衬底上生长缓冲层，然后在缓冲层上生长耐压层，在生长缓冲层和生长耐压层的两个过程中分别使用独立的管路提供掺杂气源。本发明研究双层外延片的耐压层过渡区宽的问题，其...
陈海波陈建纲
HF-HCL混合药液的浓度监控方法、装置、设备以及存储介质
本公开的实施例提供了一种HF‑HCL混合药液的浓度监控方法、装置、设备以及存储介质，应用于半导体技术领域。该方法包括：获取晶圆进入HF‑HCL混合药液之前的第一膜厚度，以及晶圆离开HF‑HCL混合药液之后的第二膜厚度；根...
王康锋张晓艳吴勇顾广安
一种外延炉气体泄漏防护装置
本实用新型公开了一种外延炉气体泄漏防护装置，属于气体泄漏防护技术领域，包括反应腔和连接管，反应腔通过法兰首尾贯通连接，连接管安装在反应腔内，且用于传输有毒气体，连接管的连接处设有螺纹密封胶和防护装置，其中：螺纹密封胶包覆...
张健陆军黄喜曹建平
一种减少液体滴落的晶片夹取装置
本实用新型涉及晶片加工技术领域，具体地说是一种减少液体滴落的晶片夹取装置。一种减少液体滴落的晶片夹取装置，包括片盒，所述的片盒中部设有供承载台穿过的通孔，承载台下端连接升降机构，承载台上侧设有夹爪，位于片盒上部的左右两端...
王康锋张晓艳吴勇顾广安
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