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上海新傲科技股份有限公司

作品数：306 被引量：2H指数：1
相关机构：中国科学院中芯国际集成电路制造(上海)有限公司上海申和热磁电子有限公司更多>>
发文基金：上海市国际科技合作基金上海市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺经济管理一般工业技术更多>>

合作机构

文献类型

  • 298篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 2篇科技成果
  • 1篇标准

领域

  • 50篇电子电信
  • 17篇金属学及工艺
  • 5篇经济管理
  • 4篇一般工业技术
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇医药卫生
  • 1篇理学

主题

  • 145篇衬底
  • 76篇埋层
  • 67篇绝缘埋层
  • 67篇键合
  • 34篇绝缘
  • 32篇半导体
  • 31篇晶体
  • 23篇退火
  • 23篇晶圆
  • 22篇氧化层
  • 22篇离子注入
  • 22篇晶体管
  • 22篇减薄
  • 22篇硅衬底
  • 20篇绝缘层
  • 20篇绝缘体上硅
  • 18篇抛光
  • 17篇氮化镓
  • 17篇晶格
  • 13篇刻蚀

机构

  • 306篇上海新傲科技...
  • 104篇中国科学院
  • 4篇中芯国际集成...
  • 1篇上海晶盟硅材...
  • 1篇上海申和热磁...

作者

  • 27篇程新红
  • 22篇张苗
  • 16篇王湘
  • 9篇王曦
  • 5篇武爱民
  • 5篇薛忠营
  • 5篇魏星
  • 4篇王中党
  • 3篇张峰
  • 2篇张波
  • 2篇张鹏
  • 2篇林成鲁
  • 2篇张正选
  • 2篇曹共柏
  • 2篇杨志峰
  • 1篇仰庶
  • 1篇黄晓橹

传媒

  • 1篇科学通报
  • 1篇机电信息
  • 1篇城市建筑
  • 1篇2011上海...
  • 1篇上海市科协第...

年份

  • 8篇2024
  • 15篇2023
  • 2篇2022
  • 17篇2020
  • 20篇2019
  • 7篇2018
  • 18篇2017
  • 28篇2016
  • 13篇2015
  • 35篇2014
  • 21篇2013
  • 46篇2012
  • 31篇2011
  • 38篇2010
  • 7篇2009
共 306 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
晶圆的表面氧化方法
本发明提供了一种晶圆的表面氧化方法，采用立式炉管的退火炉，所述立式炉管包括设置在侧壁一侧上的进气管路，所述进气管路包括靠近立式炉管底部设置的进气端，以及靠近立式炉管顶部设置的出气端，所述晶圆叠置于所述立式炉管中，包括如下...
徐慧军庄俞佳王浩李翔宇
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表征衬底表面性质的装置以及方法
一种表征衬底表面性质的装置，用于夹持衬底以对其表面进行选择性遮挡，以便对衬底表面进行选择性腐蚀，包括：多个压盘，所述压盘各自具有一朝向被夹持的衬底的被腐蚀表面的平面；一背板，所述背板与压盘相对设置，用于同压盘的平面相配合...
张峰曹共柏魏星王文宇王曦
文献传递
混合晶向应变硅衬底及其制备方法
一种混合晶向应变硅衬底，包括：支撑衬底；直接设置于支撑衬底表面的锗硅层；以及直接设置于锗硅层表面的应变硅层。本发明进一步提供了所述混合晶向应变硅衬底的制备方法。本发明的优点在于，所提供的混合晶向应变硅衬底中，能够降低第一...
魏星王湘李显元张苗王曦林成鲁
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晶圆处理装置
该实用新型涉及一种晶圆处理装置，包括腔体，用于放置晶圆；风机，所述风机的出风口与所述腔体的进风口连通；软管，设置于所述风机的出风口与所述腔体的进风口之间，用于缓冲所述风机的震动对所述腔体的影响。该装置可以减少晶圆处理工艺...
徐慧军徐浩徐成耀张雅荣
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带有绝缘埋层的沟槽栅功率场效应晶体管
本发明提供了一种带有绝缘埋层的沟槽栅功率场效应晶体管，包括：源极层和漏极层，所述源极层设置在衬底的第一表面，所述漏极层设置在衬底与第一表面相对的第二表面；掺杂阱层，所述掺杂阱层设置在所述源极层和漏极层之间，且与所述源极层...
魏星徐大伟狄增峰方子韦
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带有绝缘埋层的高压晶体管
本发明提供了一种带有绝缘埋层的高压晶体管，所述绝缘埋层将衬底分割成器件层和支撑层，所述器件层具有第一导电类型所述高压晶体管包括：第一栅极，所述器件层中具有一第一沟槽，所述第一沟槽内填充第一栅介质层，所述第一栅介质层的表面...
魏星徐大伟狄增峰方子韦
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晶圆表面的平坦化方法
一种晶圆表面的平坦化方法，包括如下步骤：提供一晶圆，所述晶圆包括绝缘埋层以及绝缘埋层表面的顶层硅层，所述顶层硅层的边缘厚度大于中心厚度；将所述晶圆在氢气或者氢气和惰性气体的混合气体中退火，退火能促进表面硅原子的重构，从而...
魏星高楠陈猛苏鑫徐洪涛
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制备具有均匀厚度器件层的衬底的方法
本发明提供了一种制备具有均匀厚度器件层的衬底的方法，包括如下步骤：提供外延衬底和支撑衬底，所述外延衬底的材料为半导体材料；在所述外延衬底表面外延生长器件层；在所述支撑衬底和/或器件层的表面形成绝缘层；以绝缘层为中间层，将...
魏星张鹏曹共柏
用于氮化物生长硅衬底实时图形化的方法
本发明提供一种用于氮化物生长硅衬底实时图形化的方法，包括如下步骤：(a)提供一衬底；(b)利用金属液滴回融所述衬底，以在所述衬底表面形成图形化表面；(c)在所述衬底图形化表面外延生长氮化物。本发明的优点在于，在衬底上实时...
闫发旺张峰赵倍吉谢杰
一种基于键合工艺的高迁移率双沟道材料的制备方法
本发明公开了一种基于键合工艺的高迁移率双沟道材料的制备方法，利用体硅衬底外延压应变的SiGe层，采用键合工艺将SiGe层转移至热氧化的硅片上，该SiGe层，用作PMOSFET的沟道材料；在SiGe材料上继续外延Si，采用...
张苗张波薛忠营王曦
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