杭州海纳半导体有限公司
- 作品数：46 被引量：18H指数：3
- 相关机构：质量检验中心浙江金瑞泓科技股份有限公司中国有色金属工业标准计量质量研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金浙江省自然科学基金国家科技攻关计划更多>>
- 相关领域：语言文字电子电信动力工程及工程热物理理学更多>>
- 适用于多线切割机加工时工件装载的夹具及紧固方法
- 本发明公开了一种适用于多线切割机加工时工件装载的夹具及紧固方法，包括加工工件垫条、不锈钢基板、左固定钢条和右固定钢条；加工工件垫条左侧固定左固定钢条，加工工件垫条右侧固定右固定钢条；左固定钢条上设上下贯通的左固定钢条沉孔...
- 饶伟星吴雄杰高海军陈建锋刘荣光黄晓东顾宏华王飞尧
- 文献传递
- 反向低击穿硅稳压二极管的制造
- 半导体技术的快速发展，电子线路元器件日趋低压化，担当保护电子线路安全、瞬间过压抑制的硅二极管的需求量与日俱增。本文提出一种保护电压范围低于10伏之高可靠低压保护硅稳压二极管的结构与制造工艺技术，该制造方法就是为了充分利用...
- 毛建军胡煜涛王铮任亮朱志远罗舟超陈福元
- 关键词：低压保护
- 文献传递
- 用于直拉法制备单晶硅的籽晶夹持器及使用方法
- 本发明公开了一种用于直拉法制备单晶硅的籽晶夹持器，包括夹持器，在所述夹持器的上方设置有籽晶轴联接装置；其特征是：所述夹持器内设置有上下贯通的空腔，所述空腔下方设置有硅籽晶夹持口；所述夹持器的侧壁上设置有至少一个的定位销孔...
- 潘金平王飞尧吴雄杰饶伟星王伟棱
- 文献传递
- 硅单晶
- 本标淮规定了硅单晶的牌号及分类、要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同）内容等。
本标准适用于直拉法、悬浮区熔法(包括中子嬗变掺杂和气相掺杂）制备的直径不大于200 mm的桂单晶。...
- 铸造多晶硅硅片的磷吸杂研究被引量：3
- 2007年
- 主要研究了铸造多晶硅晶锭不同位置的硅片在磷吸杂前后电学性能的变化。结果发现,经过870℃磷吸杂40 min后不同位置处硅片的少数载流子寿命都有显著的提高,其中来自硅锭底部硅片的少数载流子寿命的提高程度明显低于来自顶部样品寿命的提高幅度。由于氧的分凝效应,在铸造多晶硅底部材料中含有较高浓度的间隙氧。结果表明,多晶硅磷吸杂的效果不仅与材料中过渡族金属的分布以及形态有关,而且还可能与硅中氧的浓度有关。
- 唐骏黄笑容席珍强杜平凡姚剑徐敏
- 关键词：多晶硅少子寿命
- 少数载流子寿命仪在太阳电池制备中的应用
- 少数载流子寿命仪是表征半导体材料质量的一个重要参数.本文主要研究了不同部位的铸造多晶硅硅片在磷吸杂前后以及氮化硅沉积前后少数载流子寿命的变化,揭示少数载流子寿命仪在原生材料判别、磷扩散吸杂以及表面和体钝化等这些电池制备工...
- 席珍强黄笑容杨德仁
- 关键词：半导体材料太阳电池
- 文献传递
- 调整单晶棒晶向的方法及测量方法
- 本发明公开了一种调整单晶棒晶向的方法；包括如下的步骤：1)通过晶体的种类确定标准晶向；2)确定单晶Y轴方向和单晶X轴方向的晶向；3)将单晶X轴方向与垫条X轴方向平行，并进行单晶棒与垫条粘结；4)根据单晶X轴方向与标准晶向...
- 陈建峰饶伟星高海军吴雄杰
- 硅单晶腐蚀片
- 本标准规定了硅单晶腐蚀片的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。本标准适用于直拉法、悬浮区熔法（包括区熔中子嬗变和气相掺杂）制备的硅单晶研磨片经化学腐蚀液去除表...
- 直拉硅单晶的镓元素掺杂方法及所用掺杂装置
- 本发明公开了一种镓元素掺杂装置，包括由高纯石英制成的吊环(2)和环状固定套(3)，还包括由高纯单晶硅制成的空心圆锥体(4)；环状固定套(3)与空心圆锥体(4)相连，吊环(2)的一端与环状固定套(3)相连，吊环(2)的另一...
- 郭兵健王飞尧何国君黄笑容肖型奎
- 过冷度对重掺B直拉Si单晶中小角晶界的影响被引量：3
- 2011年
- 小角晶界是Si单晶中的严重缺陷,生产中需要极力避免。对于重掺B直拉<111>Si单晶,当掺杂浓度接近固溶度时就容易产生小角晶界。对直拉Si单晶中小角晶界产生的原因进行梳理及深入分析,在理论上提出减少过冷度来减少小角晶界缺陷的方法。分别采用增加加热器功率减小过冷度及降低埚位减少过冷度的两种工艺方法,成功实现生长无小角晶界重掺B<111>Si单晶。通过生产中实际晶体生长情况对比分析发现,低埚位生长无小角晶界的重掺B直拉<111>Si单晶工艺更具备生产优势。
- 王飞尧孙新利饶伟星何国君王伟棱
- 关键词：过冷度硅单晶
