浙江海纳半导体有限公司
- 作品数:43 被引量:11H指数:2
- 相关机构:浙江金瑞泓科技股份有限公司有研半导体材料有限公司有色金属技术经济研究院更多>>
- 发文基金:湖南省自然科学基金湖南省教育厅重点项目更多>>
- 相关领域:电子电信化学工程医药卫生自动化与计算机技术更多>>
- 硅片翘曲度和弯曲度的测试 自动非接触扫描法
- 本文件描述了利用两个探头在硅片表面自动非接触扫描测试硅片的翘曲度和弯曲度的方法。本文件适用于直径不小于50mm,厚度不小于100μm的洁净、干燥的硅片,包括切割、研磨、腐蚀、抛光、外延、刻蚀或其他表面状态的硅片,也可用于...
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- 一种直拉单晶硅炉热场的三相交流加热器及其加热方法
- 本发明属于直拉单晶炉热场技术领域,具体的说是一种直拉单晶硅炉热场的三相交流加热器及其加热方法,包括加热器本体和连接环,所述加热器本体包括三个弧形加热板,且三个弧形加热板能够拼接成完整的圆筒,所述弧形加热板的底部固连有引脚...
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- 文献传递
- 一种提高单晶硅棒利用率的加工方法
- 本发明公开了一种提高单晶硅棒利用率的加工方法;包括如下的步骤:首先、切取单晶硅棒中多余的单晶;其次、将切取的单晶通过加工后形成合格的圆形晶锭或者合格的方形晶锭。
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- 文献传递
- 一种用于硅片散热的金刚石膜散热结构
- 本实用新型涉及散热结构技术领域,具体为一种用于硅片散热的金刚石膜散热结构,包括PCB板,PCB板表面的中部设有单晶硅片,单晶硅片的表面粘接有绝缘层,绝缘层的表面粘接有金属导电层,金属导电层的表面电性连接有多个呈矩阵式排布...
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- 文献传递
- 晶片通用网格规范
- 本标准规定了可用于定量描述圆形半导体晶片表面缺陷的网格图形。
本标准适用于标称直径100mm~200mm的硅片,也适用于其他半导体材料晶片。
- 超薄单晶硅片加工检测技术的研究进展
- 2022年
- 半导体硅片是半导体产业链的上游,是制作芯片的核心材料,贯穿了芯片制作的全过程,半导体硅片的质量和数量制约着下游终端领域行业的发展。随着便携式电子产品不断朝着高集成度和微型化的方向发展,芯片的体积也不断减小。为了满足芯片体积进一步减小的需求,芯片封装前通常需要对硅片背面进行减薄,除了在封装技术上不断地革新,超薄单晶硅片的应用势在必行。简单介绍了半导体硅片的加工工艺流程,分析了超薄单晶硅片的制备方法及减薄工艺,讨论了减薄后的单晶硅片的表面质量(如翘曲度、厚度均匀性、粗糙度、损伤层厚度等)及其影响因素,并对硅片表面损伤层检测方法进行了简要的综述。
- 张立安
- 关键词:单晶硅片
- 一种单晶炉观察窗
- 本实用新型涉及单晶炉技术领域,且公开了一种单晶炉观察窗,包括观察窗,观察窗的窗口上设有的一个安装座,密封圈放置在安装座上,所述的镀金玻璃,一面为全镀面,另一面压在密封圈上。上述结构在使用的时候,炉内清洗就不会磨损镀金面,...
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- 文献传递
- 半导体材料牌号表示方法
- 本标准规定了半导体多晶、单晶、晶片、外延片等产品的牌号表示方法。
本标准适用于半导体多晶、单晶、晶片、外延片等产品的牌号表示,其他半导体材料牌号表示可参照执行。
- 硅片表面薄膜厚度的测试 光学反射法
- 本文件规定了采用光学反射法测试硅片表面二氧化硅薄膜、多晶硅薄膜厚度的方法。本文件适用于测试硅片表面生长的二氧化硅薄膜和多晶硅薄膜的厚度,也适用于所有光滑的、透明或半透明的、低吸收系数的薄膜厚度的测试,如非品硅、氮化硅、类...
- 徐继平宁永铎卢立延孙燕张海英由佰玲潘金平李扬胡晓亮张雪囡楼春兰盘健冰
- 基于CAE分析的歧管盖注塑模具设计被引量:6
- 2020年
- 基于CAE分析,设计了一种单腔两板冷、热流道注塑模具用于形状复杂的歧管盖塑件的注射成型。CAE分析结果表明,塑件模腔的浇注方式采用单点侧浇口进行浇注,流道使用冷、热流道相结合的复合流道形式,能保证料流在模腔内充分流动,模腔充填时间为3.5 s左右,充填压力为43 MPa左右。模腔主分型面使用阶梯式分型面,能将塑件的模具结构简化为两板模形式,脱模机构简化为2个斜导柱滑块机构、2个油缸抽芯机构及1个斜顶机构用于塑件的侧抽芯脱模,实现塑件的脱模自动化。设置油缸抽芯机构时,2个油缸抽芯机构使用串联接通方式接通,确保了塑件的无变形顺序脱模。
- 徐慧陈洪胡少辉沈忠良
- 关键词:CAE分析注塑模具