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电子科技大学微电子与固体电子学院微电子科学与工程系

作品数：42 被引量：66H指数：4
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文献类型

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主题

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机构

  • 42篇电子科技大学
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  • 1篇帝国理工学院
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  • 1篇电子工业部
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 11篇杨谟华
  • 10篇谢孟贤
  • 9篇于奇
  • 9篇陈勇
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  • 5篇周蓉
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  • 2篇刘诺
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  • 1篇严顺炳

传媒

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年份

  • 1篇2003
  • 2篇2002
  • 5篇2001
  • 2篇2000
  • 7篇1999
  • 3篇1998
  • 5篇1997
  • 1篇1996
  • 1篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1993
  • 1篇1992
  • 2篇1991
  • 8篇1990
  • 2篇1989
共 42 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
高性能α-Si:H FET的电荷控制分析与研制
1990年
为制备高输出性能的 α-Si∶H FET,本文运用电荷控制理论分析了器件的输出电流、开关比及场效应迁移率对材料和结构参数的依赖关系。根据分析结果设计并制备了沟道宽长比高达10~3的α-Si∶H MNS FET 样品,其输出电流达 mA 数量级。
惠恒荣广国庆艾亚男
关键词：电荷控制沟道输出电流
包含自加热效应的BJT电路的直流及瞬态模拟被引量：1
1999年
在分析ＢＪＴ的Ｇ－Ｐ器件模型参数温度效应的基础上，提出了采用自洽模拟和外部控制循环，利用ＰＳＰＩＣＥ对包含自加热效应的ＢＪＴ电路进行直流和瞬态模拟的方法，其模拟结果与实验数据较好吻合．结果表明，直流及小信号下电路的自加热效应显著，而大信号瞬态情形由于器件的大注入引起的非线性饱和效应，使电路自加热效应引入的误差减小．
陈勇杨谟华朱德之
关键词：电路模拟
α-Si∶H/Si异质结双极型晶体管的研制
1992年
报导了采用平面工艺制作a-Si∶H/C-Si HBT的基本工艺和测试结果。在Si-HBT的研制中,取得了H_(FE)=60、∫_r=530MHz的良好结果。
刘光耀谢孟贤李宏德
关键词：双极晶体管异质结
适合VLSI/ULSI的深亚微米MOS器件模型BSIM2的研究被引量：1
1997年
论述了深亚微米ＭＯＳ器件模型ＢＳＩＭ２。从强反型区、亚阈区、过渡区及输出电阻等几方面，以物理概念为基础进行了较详细分析，并与国内１μｍ工艺的ｎＭＯＳ测量数据进行了比较。
陈勇肖兵杨漠华
关键词：MOS器件器件物理亚微米器件
Si──FEA冷发射微阴极阵列实验研究被引量：1
1996年
对Ｓｉ—ＦＥＡ冷发射微阴极阵列的微电子工艺技术制各方案及其测试观察结果进行了技术报道。已经获得了２０×２０／１００×１００硅尖锥阵列和栅压在１００～４００ｖ之间５０μＡ冷发射阳极电流。
肖兵杨谟华杨中海
关键词：场致发射
大规模集成电路(LSI)技术的发展被引量：4
2001年
该文简要介绍了LSI的现状和发展 ,阐述了超高速LSI和系统LSI中的若干问题 。
谢孟贤
关键词：大规模集成电路工艺技术
CMOS单片集成恒带宽放大模块被引量：8
1997年
基于电流模式信号处理技术和电流跟随器、CMOSAB类放大器、反相电流镜等理论模型，并有赖于特别的版图设计与一系列先进的3μm硅栅CMOS单片化集成技术，已经获得了一种具有300kHz～1MHz恒带宽、0～20dB可调增益、5．6mW功耗的新型集成模块，该功能块突破了放大器增益带宽积为常数的传统约束，并可用于系统集成、生物电子学、智能功率集成电路（SPIC）与模拟信息处理诸电子学领域．
杨谟华成勃于奇肖兵谢孟贤杨存宇江泽福严顺炳
关键词：CMOS单片集成电路带宽放大器
MOSFET衬底电流模型及参数提取
1999年
在短沟道ＭＯＳＦＥＴ器件物理的基础上，导出了其衬底电流解析模型，并通过实验进行了模型参数提取。模型输出与短沟ＭＯＳＦＥＴ实测结果比较接近，可应用于ＶＬＳＩ／ＵＬＳＩ可靠性模拟与监测研究和亚微米ＣＭＯＳ电路设计。
刘永强于奇刘玉奎李竞春陈勇
关键词：MOSFET半导体器件
InP－MIS界面特性的研究
1994年
通过实验对ＩｎＰ－ＭＩＳ结构进行了研究分析，指出造成该结构的Ｃ－Ｖ曲线滞后现象的主要原因不是界面上ＩｎＰＯ＿４所造成陷阶，而是低温淀积ＳｉＯ＿２中的ＳｉＯＨ、ＳｉＨ等有机团所致；探索出一种新工艺技术，能做到基本消除该结构的Ｃ－Ｖ曲线的滞后现象。
陈清法谢孟贤
关键词：半导体器件磷化铟
谐振隧道二极管被引量：2
1999年
由于外延技术的快速发展与进步，作为量子耦合器件及其电路里程碑的谐振隧道量子器件（ＲＴＤ）引起了学术界的密切关注。ＲＴＤ可使电路密度增大，速度提高，且单位器件的逻辑功能高于传统的晶体管。文中分析了谐振隧道二极管的工作原理、重要物理现象，并对有关设计问题进行了讨论。
刘诺谢孟贤
关键词：砷化镓
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