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湖南大学物理与微电子科学学院光电子材料与器件研究所

作品数:14 被引量:51H指数:5
相关作者:王健雄更多>>
相关机构:中南大学材料科学与工程学院中南大学物理与电子学院更多>>
发文基金:湖南省自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:理学电子电信机械工程自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 14篇中文期刊文章

领域

  • 9篇理学
  • 8篇电子电信
  • 3篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 8篇发光
  • 5篇电致发光
  • 5篇晶体
  • 5篇光子
  • 5篇光子晶体
  • 3篇光谱
  • 3篇发光机理
  • 2篇电荷
  • 2篇电荷转移
  • 2篇电致发光器件
  • 2篇多孔硅
  • 2篇荧光谱
  • 2篇势垒
  • 2篇输运
  • 2篇能级
  • 2篇光效
  • 2篇光效率
  • 2篇光学
  • 2篇发光器件
  • 2篇发光效率

机构

  • 14篇湖南大学
  • 2篇中南大学

作者

  • 14篇彭景翠
  • 11篇李宏建
  • 7篇夏辉
  • 7篇瞿述
  • 6篇许雪梅
  • 4篇翦知渐
  • 3篇谢自芳
  • 3篇张高明
  • 3篇赵楚军
  • 3篇周仁龙
  • 2篇朱家俊
  • 1篇欧阳玉
  • 1篇彭志华
  • 1篇罗小华
  • 1篇易丹青
  • 1篇林峰
  • 1篇王健雄
  • 1篇崔昊杨
  • 1篇翦之渐

传媒

  • 4篇光谱学与光谱...
  • 2篇材料导报
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇Journa...
  • 1篇Chines...
  • 1篇湖南大学学报...
  • 1篇光学学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇韶关学院学报
  • 1篇功能材料信息

年份

  • 1篇2007
  • 2篇2006
  • 1篇2004
  • 2篇2003
  • 6篇2002
  • 2篇2001
14 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
输运层对双层器件电致发光效率的影响
2002年
建立了双层器件载流子输运与复合发光的多势垒的理论模型 ,用以描述高场下载流子输运与复合发光的机理 ,并详细讨论了输运层势垒及外加电压对器件复合效率的影响 .结果表明 :双层器件的发光是载流子隧穿内界面后在两有机层 (输运层 )中的复合发光 ,输运层的势垒宽度和高度对器件发光效率的影响很大 ,且阴极区 (阳极区 )的势垒宽度双势垒高度对其影响更大 ;
李宏建谢自芳朱家俊瞿述许雪梅赵楚军彭景翠
关键词:势垒高度
输运层厚度对双层有机器件复合发光的影响被引量:2
2001年
采用ITO/PVK/Alq/Al双层电致发光 (EL)结构 ,制备了三种载流子输运层厚度分别为30、6 0、12 0nm ,发光层厚度均为 30 0nm的有机薄膜EL器件 ,测试其EL谱及J -V特性曲线。根据有机EL器件中载流子的产生和输运过程导出了载流子复合几率及电子和空穴密度分布表示式 ,用以解释其发光强度随输运层厚度的变化关系 ,用一维无序结构载流子随机跃迁模型讨论输运层厚度对器件电流密度及启动电压的影响 ,探讨了载流子在薄膜中的输运过程 。
李宏建瞿述许雪梅夏辉彭景翠
关键词:复合发光电致发光发光机理
钝化多孔硅的光致发光被引量:13
2002年
选用含有胺基的正丁胺 (CH3CH2 CH2 CH2 - NH2 )作碳源 ,采用射频辉光放电法制备碳膜对多孔硅进行碳膜钝化 ,其光致发光谱和存放实验表明 :正丁胺对多孔硅进行钝化是一种十分有效的多孔硅后处理途径 .研究了钝化多孔硅的光致发光谱随钝化温度和钝化时间的变化关系 ,其结果显示
李宏建彭景翠许雪梅瞿述夏辉
关键词:多孔硅光致发光谱
二维旋转直柱光子晶体的频率带隙结构分析
2006年
设计了一种二维方形旋转正四边形直柱光子晶体,利用平面波展开方法计算了其光子频率带结构,发现在低频和高频区域,该类光子晶体的光子频率禁带明显增大。计算了空气中Al材料的旋转四边形直柱光子晶体的带结构和态密度,当填充比等于0.5时存在绝对带隙,旋转角度为45°时绝对带隙最大,旋转角度为0时,光子频率禁带位于高频区域。利用FDTD方法检验了计算结果,并分析了旋转角度为45°时,正四边形直柱光子晶体的波导特性以及TM模的电场分布。
翦知渐彭景翠周仁龙张高明
关键词:光子晶体
左手材料的光学特性及其应用被引量:1
2006年
左手材料是一种人工制备的具有亚观结构的材料,因为其独特的电磁学特性,在很多方面都具有潜在的应用价值。本文简要介绍了左手材料在完美透镜、一维光子晶体、薄板波导等方面的研究进展,对其理论研究和实验结果进行了评述,并探讨了其发展前景。
彭景翠翦知渐欧阳玉彭志华
关键词:左手材料光子晶体
5,6,11,12-四苯基四苯并掺杂8-羟基喹啉铝薄膜的荧光谱及发光机理被引量:7
2002年
用高荧光染料的 5 ,6 ,11,12 四苯基四苯并对 8 羟基喹啉铝进行掺杂 ,测量其光致发光和电致发光谱。结果表明 :在低掺杂时 ,主发光体是Alq ,掺入的Rubrene作为客发光体只是在Alq带隙中引入了分立能级 ;随着掺入的Rubrene浓度增加 ,Rubrene成了主发光体 ,Alq变成了客发光体 ,出现了发光体的互换现象。由于Rubrene的吸收光谱与Alq的发射谱重叠较大 ,在光致发光中存在从Alq向Rubrene的能量传递和电荷转移过程 ,而电致发光则是由于Rubrene导带 (LUMO)比Alq导带 (LUMO)低很多 ,且它们价带 (HOMO)基本相同 ,使得从负电极注入到Rubrene导带中电子浓度远大于注入到Alq导带中电子浓度 ,造成Rubrene导带电子与价带空穴复合的几率比Alq中的复合几率大得多 。
李宏建彭景翠瞿述夏辉许雪梅罗小华
关键词:掺杂8-羟基喹啉铝荧光谱发光机理分立能级
多孔硅传感器的研究进展被引量:5
2004年
综述了几种常见的多孔硅传感器的制备方法与敏感特性,并着重对气敏、湿敏、生物敏多孔硅传感器的传感机理做了详细的介绍,论述了多孔硅传感器研究的新动向,展望了它的未来发展。
崔昊杨李宏建谢自芳赵楚军彭景翠
关键词:敏感特性电导率介电常数
制备及钝化条件对多孔硅发光性能的影响被引量:7
2003年
研究了氧化电流密度对多孔硅 (PS) PL 谱的影响。结果表明 ,随着氧化电流密度增大 ,PS的微晶 Si平均尺寸减小 ,且尺寸大的微晶 Si数量也减少 ,说明制备条件对钝化 PS的发光有影响 ;PS经适当的高温氧化处理后 ,其 PL 谱会发生明显变化 ;选用含有胺基的正丁胺 ,采用射频辉光放电法对 PS进行钝化处理 ,在一定程度上提高了 PS的发射强度伴随发光峰位的较大蓝移 ;其钝化 PS的荧光谱随钝化温度和钝化时间变化 ,说明钝化条件对钝化 PS的发光有直接影响。由此 ,可以通过调节制备和钝化条件来获得最大的发光效率和所需要的发光颜色。
李宏建赵楚军谢自芳朱家俊彭景翠易丹青
关键词:多孔硅发光效率
二维方柱光子晶体的波导特性
2007年
具有缺陷的光子晶体,光子频率带隙内将出现局域模,而线缺陷相应地形成一个传输效率很高的光波导.计算了空气中Al材料的旋转四边形直柱光子晶体存在线缺陷时的带结构和态密度,给出了二维方形光子晶体的波导的TM模的电场分布,并讨论了波导耦合的传输效率.
翦知渐彭景翠张高明
关键词:光子晶体波导
输运层势垒对双层结构器件复合发光的影响被引量:1
2002年
通过分析双层结构器件复合发光的实际物理过程 ,建立了双层器件载流子输运与复合发光的多势垒的理论模型 ,计算并讨论了器件复合效率随外加电压及输运层势垒 (包括势垒高度和宽度 )的变化关系。该理论模型较好地解释实验现象。
李宏建瞿述许雪梅彭景翠
关键词:势垒复合发光有机薄膜电致发光器件载流子发光机理
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