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杭州中芯晶圆半导体股份有限公司

作品数：17 被引量：0H指数：0
相关机构：上海申和热磁电子有限公司上海新欣晶圆半导体科技有限公司更多>>
相关领域：建筑科学更多>>

合作机构

文献类型

  • 17篇中文专利

领域

  • 1篇建筑科学

主题

  • 8篇硅片
  • 4篇研磨
  • 4篇砂浆
  • 2篇断线
  • 2篇星轮
  • 2篇伺服
  • 2篇伺服机构
  • 2篇抛光
  • 2篇平坦度
  • 2篇翘曲
  • 2篇氢氟酸
  • 2篇左侧
  • 2篇污染
  • 2篇线切割
  • 2篇金属污染
  • 2篇缓冲层
  • 2篇过滤器
  • 2篇钢制
  • 2篇半导体
  • 1篇倒角

机构

  • 17篇杭州中芯晶圆...
  • 16篇上海申和热磁...
  • 1篇上海新欣晶圆...

年份

  • 1篇2020
  • 14篇2019
  • 2篇2018
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种提高半导体硅片端面腐蚀能力的腐蚀方法
本发明涉及半导体制造领域。一种提高半导体硅片端面腐蚀能力的腐蚀方法，包括如下步骤：步骤一，将硅片装入片盒，且片盒中硅片的抛光面的朝向一致；步骤二，将用于对硅片进行腐蚀处理的处理槽的底板进行倾斜设置，底板与水平面形成的倾斜...
戚定定贺贤汉庄云娟
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一种用于洁净房内的硅片批量运输装置
本实用新型涉及半导体加工技术领域。一种用于洁净房内的硅片批量运输装置，包括一用于放置硅片的运输车，运输车的下方设有万向轮，运输车包括柜体，柜体包括一上下设置的上柜体以及下柜体；上柜体的前后两侧分别开设有进风口以及出风口，...
王昆鹏贺贤汉洪漪赵剑锋
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一种有效减少测量硅片厚度时造成金属污染的硅片托盘
本实用新型涉及半导体加工技术领域。一种有效减少测量硅片厚度时造成金属污染的硅片托盘，包括一硅片托盘本体，硅片托盘本体上开设有至少三个开口向上的球状凹槽，球状凹槽内嵌设有陶瓷制成的滚珠，滚珠的顶部外凸于球状凹槽；滚珠的外壁...
朱强健贺贤汉
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一种提高腐蚀机混酸换液效率的方法及装置
本发明提供一种提高腐蚀机混酸换液效率的方法，包括：步骤一，在储备槽A加入室温下的混酸280L‑350L；步骤二，通过添加氢氟酸15L‑30L、硝酸60L‑90L、醋酸30L‑60L，对储备槽A中的混酸进行浓度调节，将混酸...
刘玉龙贺贤汉朱强健
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一种研磨过程中减少刚性材料因碰撞导致破裂的方法
本发明提供一种研磨过程中减少刚性材料因碰撞导致破裂的方法，包括：步骤一，在钢制的游星轮边缘制作梯形缺口；步骤二，游星轮的外侧设有一缓冲层，缓冲层的内侧按步骤一中相应形状冲切成形；步骤三，采用机械压合将缓冲层嵌入游星轮的梯...
高威贺贤汉徐红林
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一种精确测量硅片上下面去除量的方法
本发明涉及半导体制造领域。一种精确测量硅片上下面去除量的方法，包括如下步骤：步骤一，研磨前用倒角轮廓仪测量硅片上倒角宽幅、硅片下倒角宽幅、硅片上倒角角度、硅片下倒角角度、硅片厚度；步骤二，硅片研磨后，再次用倒角轮廓仪测量...
叶挺贺贤汉
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一种研磨过程中减少硅片破裂的装置
本实用新型提供一种研磨过程中减少硅片破裂的装置，包括一钢制的游星轮，游星轮的边缘等间距开设有梯形缺口，游星轮的外侧套设有一环状的缓冲层，缓冲层的内侧设有与梯形缺口相匹配的梯形凸起，缓冲层与游星轮通过机械压合；梯形缺口的上...
高威贺贤汉徐红林
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一种提高硅片最终清洗金属程度的方法及装置
本发明提供一种提高硅片最终清洗金属程度的方法，包括：步骤一，在氢氟酸药液槽加入纯水进行充分的循环20分钟；步骤二，将颗粒过滤器的颗粒过滤芯和金属过滤器的金属过滤芯都充分浸润在异丙醇中；步骤三，先安装颗粒过滤芯，然后在氢氟...
赵剑锋贺贤汉洪漪衫原一男
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一种用于定盘平坦度的测试装置
本实用新型提供一种用于定盘平坦度的测试装置，包括一底座，底座上方连接一可伸缩的支架，支架与丝杆连接，丝杆上设有导轨，丝杆的一端设有激光位移传感器，激光位移传感器沿导轨横向移动，丝杆上还设有用于驱动激光位移传感器移动的丝杆...
王鸣贺贤汉
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一种简易激光刻字测量工具
本实用新型涉及半导体加工技术领域。一种简易激光刻字测量工具，包括一用于支撑硅片的支撑板以及亚克力制成的测量尺，测量尺与支撑板上下设置；支撑板的横截面面积小于测量尺的横截面面积；测量尺是一与硅片的外轮廓相匹配的圆形片，圆形...
曹泽域贺贤汉
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